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技術(shù)文章共10415篇

國(guó)儀量子電鏡在晶圓級(jí)封裝微凸點(diǎn)共晶融合觀測(cè)的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在晶圓級(jí)封裝微凸點(diǎn)共晶融合觀測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)向小型化、高性能化邁進(jìn)的進(jìn)程中，晶圓級(jí)封裝（WLP）技術(shù)憑借其能有效縮小芯片尺寸、降低成本以及提升電氣性能等顯著優(yōu)勢(shì)，成為先進(jìn)封裝領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。WLP 直接在晶圓上進(jìn)行封裝操作，相較于傳統(tǒng)封裝方式，減少了封裝層級(jí)，縮短了信號(hào)傳輸路徑，極大提升了芯片的電學(xué)性能。在智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備等對(duì)空間和性能要求極高的電子產(chǎn)品中，WLP 技術(shù)廣泛應(yīng)用...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：449次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子電鏡在晶圓鍵合界面微空隙統(tǒng)計(jì)的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在晶圓鍵合界面微空隙統(tǒng)計(jì)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓鍵合技術(shù)作為實(shí)現(xiàn)芯片集成與封裝的關(guān)鍵工藝，廣泛應(yīng)用于 3D 芯片堆疊、系統(tǒng)級(jí)封裝等先進(jìn)制程。通過將兩片或多片晶圓在原子層面上結(jié)合，晶圓鍵合能夠?qū)崿F(xiàn)芯片間的電氣連接、機(jī)械支撐以及信號(hào)傳輸，極大提升芯片的性能與集成度。然而，在晶圓鍵合過程中，鍵合界面常出現(xiàn)微空隙現(xiàn)象。這些微空隙是指鍵合界面處未完全結(jié)合的微小空洞，其產(chǎn)生原因復(fù)雜，涉及晶圓表面粗...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：414次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子電鏡在抗輻射器件柵氧經(jīng)時(shí)擊穿分析的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在抗輻射器件柵氧經(jīng)時(shí)擊穿分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在航天、軍事等高輻射環(huán)境下，電子設(shè)備需具備強(qiáng)大的抗輻射能力?？馆椛淦骷械臇叛鯇邮潜Ｕ掀骷＿\(yùn)行的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，然而，長(zhǎng)期處于輻射環(huán)境中，柵氧層會(huì)逐漸積累輻射損傷，最終導(dǎo)致經(jīng)時(shí)擊穿，使器件失效。準(zhǔn)確分析柵氧經(jīng)時(shí)擊穿的過程和機(jī)制，對(duì)提升抗輻射器件的可靠性、延長(zhǎng)其使用壽命意義重大。傳統(tǒng)分析方法難以在微觀層面清晰呈現(xiàn)柵氧擊穿的細(xì)節(jié)，限制了對(duì)相關(guān)失效機(jī)制...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：374次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子鎢燈絲掃描電鏡電鏡在磁存儲(chǔ)器 MTJ 隧道結(jié)界面分析的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在磁存儲(chǔ)器 MTJ 隧道結(jié)界面分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在信息存儲(chǔ)技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，磁存儲(chǔ)器憑借其高存儲(chǔ)密度、低功耗和快速讀寫的優(yōu)勢(shì)，成為存儲(chǔ)領(lǐng)域的關(guān)鍵力量。磁性隧道結(jié)（MTJ）作為磁存儲(chǔ)器的核心部件，其隧道結(jié)界面的質(zhì)量對(duì)磁存儲(chǔ)器的性能起著決定性作用。MTJ 隧道結(jié)界面的原子排列、粗糙度以及元素?cái)U(kuò)散情況等，都會(huì)影響電子的隧穿效率，進(jìn)而影響磁存儲(chǔ)器的讀寫速度、存儲(chǔ)密度和穩(wěn)定性。因此，深入分析 ...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：491次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子鎢燈絲掃描電鏡在低 k 介質(zhì)材料孔隙率分析的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在低 k 介質(zhì)材料孔隙率分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域，隨著芯片集成度不斷提高，信號(hào)傳輸過程中的互連線電容問題日益凸顯。低 k 介質(zhì)材料因其具有較低的介電常數(shù)，能夠有效降低互連線之間的電容耦合，減少信號(hào)延遲和功耗，成為先進(jìn)芯片制造中不可或缺的關(guān)鍵材料。在高性能處理器、存儲(chǔ)芯片等的制造過程中，低 k 介質(zhì)材料被廣泛應(yīng)用于絕緣層，以提升芯片的性能和可靠性。然而，低 k 介質(zhì)材料的孔隙率對(duì)其性能...

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國(guó)儀量子電鏡在功率器件溝槽柵氧完整性檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告

一、背景介紹在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，功率器件承擔(dān)著電能轉(zhuǎn)換與控制的關(guān)鍵任務(wù)，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化等諸多領(lǐng)域。以新能源汽車為例，功率器件在逆變器中實(shí)現(xiàn)直流電到交流電的轉(zhuǎn)換，驅(qū)動(dòng)電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)；在智能電網(wǎng)中，用于高效的電能分配與調(diào)節(jié)。溝槽柵結(jié)構(gòu)因能有效提高功率器件的開關(guān)速度、降低導(dǎo)通電阻，從而提升功率密度和轉(zhuǎn)換效率，成為功率器件的主流設(shè)計(jì)。其中，溝槽柵氧作為隔離柵極與半導(dǎo)體溝道的關(guān)鍵絕緣層，其完整性對(duì)功率器...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：458次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子鎢燈絲掃描電鏡在光電子器件鍵合絲形變分析的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在光電子器件鍵合絲形變分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在當(dāng)今數(shù)字化信息時(shí)代，光電子器件廣泛應(yīng)用于光通信、光傳感、消費(fèi)電子等諸多領(lǐng)域，成為實(shí)現(xiàn)高效信息傳輸與處理的核心組件。在光通信系統(tǒng)中，光電子器件負(fù)責(zé)將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)進(jìn)行傳輸，并在接收端將光信號(hào)還原為電信號(hào)，保障信息的高速、穩(wěn)定傳輸。在智能手機(jī)的攝像頭模組中，光電子器件實(shí)現(xiàn)了圖像的光電轉(zhuǎn)換，為用戶提供高質(zhì)量的拍攝體驗(yàn)。鍵合絲作為光電子器件中連接芯片與基板或其...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：423次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子電鏡在光模塊透鏡耦合對(duì)準(zhǔn)度評(píng)估的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在光模塊透鏡耦合對(duì)準(zhǔn)度評(píng)估的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在光通信技術(shù)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，光模塊作為實(shí)現(xiàn)光信號(hào)與電信號(hào)相互轉(zhuǎn)換的核心器件，其性能直接影響光通信系統(tǒng)的傳輸質(zhì)量與效率。透鏡耦合是光模塊中實(shí)現(xiàn)光源與光纖之間高效光傳輸?shù)年P(guān)鍵環(huán)節(jié)，透鏡耦合對(duì)準(zhǔn)度則是決定光耦合效率的關(guān)鍵因素。當(dāng)透鏡與光源、光纖之間的對(duì)準(zhǔn)度存在偏差時(shí)，會(huì)導(dǎo)致光信號(hào)在傳輸過程中發(fā)生損耗，降低光模塊的發(fā)射功率和接收靈敏度，進(jìn)而影響整個(gè)光通信...

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國(guó)儀量子電鏡在光掩模缺陷修復(fù)質(zhì)量驗(yàn)證的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在光掩模缺陷修復(fù)質(zhì)量驗(yàn)證的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體制造的光刻工藝中，光掩模作為圖案轉(zhuǎn)移的模板，其質(zhì)量直接決定了芯片上電路圖案的精度和完整性。隨著芯片制造工藝向更小的特征尺寸不斷推進(jìn)，對(duì)光掩模的精度要求愈發(fā)嚴(yán)苛。哪怕是極其微小的缺陷，如灰塵顆粒、劃痕、圖案變形等，都可能在光刻過程中被放大，導(dǎo)致芯片上出現(xiàn)短路、斷路等功能性缺陷，極大降低芯片的成品率和性能。為了確保光掩模的高質(zhì)量，缺陷修復(fù)成為關(guān)鍵環(huán)節(jié)。修復(fù)...

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國(guó)儀量子電鏡在硅穿孔（TSV）銅填充空洞檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在硅穿孔（TSV）銅填充空洞檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體封裝技術(shù)持續(xù)演進(jìn)的當(dāng)下，硅穿孔（TSV）技術(shù)憑借其能實(shí)現(xiàn)芯片間高效垂直互連、顯著提升集成度和性能的優(yōu)勢(shì)，成為先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)，廣泛應(yīng)用于 3D 芯片堆疊、系統(tǒng)級(jí)封裝等領(lǐng)域。在 TSV 工藝中，銅填充是極為關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，高質(zhì)量的銅填充可保障信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性與可靠性。然而，實(shí)際生產(chǎn)過程中，銅填充時(shí)極易出現(xiàn)空洞缺陷。這些空洞會(huì)增大電阻，引...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：531次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子電鏡在硅基光子學(xué)波導(dǎo)側(cè)壁粗糙度測(cè)量的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在硅基光子學(xué)波導(dǎo)側(cè)壁粗糙度測(cè)量的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在光電子技術(shù)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，硅基光子學(xué)波導(dǎo)作為實(shí)現(xiàn)光信號(hào)高效傳輸與處理的核心元件，在光通信、光計(jì)算、生物醫(yī)學(xué)光子學(xué)等前沿領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。在高速光通信網(wǎng)絡(luò)中，硅基光子學(xué)波導(dǎo)能夠以極低的損耗傳輸光信號(hào)，實(shí)現(xiàn)信息的長(zhǎng)距離、高帶寬傳輸，有效緩解數(shù)據(jù)流量增長(zhǎng)帶來的通信壓力。在光計(jì)算領(lǐng)域，其精確的光信號(hào)操控能力為構(gòu)建高性能光計(jì)算芯片奠定基礎(chǔ)，有望推動(dòng)計(jì)算技...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：461次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子電鏡在硅晶圓表面 CMP 劃痕檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在硅晶圓表面 CMP 劃痕檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，硅晶圓作為集成電路的基礎(chǔ)材料，其表面質(zhì)量對(duì)芯片的性能和成品率起著決定性作用。隨著芯片制造工藝不斷向更小的特征尺寸發(fā)展，對(duì)硅晶圓表面平整度和光潔度的要求愈發(fā)嚴(yán)苛?；瘜W(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)作為實(shí)現(xiàn)硅晶圓超精密表面加工的核心工藝，通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用，去除硅晶圓表面的微小缺陷，獲得高度平整的表面。然而，在 CMP 過程中，由于拋...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：585次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子電鏡在硅外延層堆垛層錯(cuò)密度統(tǒng)計(jì)的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在硅外延層堆垛層錯(cuò)密度統(tǒng)計(jì)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，硅外延層作為構(gòu)建高性能芯片的核心材料，其質(zhì)量?jī)?yōu)劣直接關(guān)乎芯片的性能表現(xiàn)。硅外延生長(zhǎng)技術(shù)通過在硅襯底上精確生長(zhǎng)一層高質(zhì)量的硅晶體，能夠有效改善半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能，提升芯片的集成度與可靠性。在先進(jìn)制程的芯片制造中，如高性能處理器、存儲(chǔ)芯片等，硅外延層被廣泛應(yīng)用于優(yōu)化晶體管的溝道區(qū)域，降低寄生電容，提高載流子遷移率，從而顯著提升芯片的...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：581次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子電鏡在晶圓背面研磨亞表面損傷評(píng)估的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在晶圓背面研磨亞表面損傷評(píng)估的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓作為基礎(chǔ)材料，其質(zhì)量直接關(guān)乎芯片的性能與成品率。隨著芯片制造工藝不斷向小型化、高性能化發(fā)展，對(duì)晶圓的質(zhì)量要求愈發(fā)嚴(yán)苛。背面研磨是晶圓制造過程中的關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，通過去除晶圓背面多余的材料，實(shí)現(xiàn)晶圓減薄，滿足芯片封裝對(duì)厚度的要求，同時(shí)優(yōu)化芯片的散熱性能。然而，在背面研磨過程中，由于研磨顆粒與晶圓表面的機(jī)械摩擦、壓力作用，不可避免地會(huì)在晶...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：524次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
Lime Grinding Mill

The lime grinding mill is a high-efficiency and durable grinding equipment specifically designed for processing materials such as limestone, quicklime, and hydrated lime. It is widely used in industries includi...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：613次來源：桂林礦山機(jī)械有限公司
低溫工業(yè)冰箱：工業(yè)生產(chǎn)的 “冷靜守護(hù)者”? ? ?

在工業(yè)生產(chǎn)的復(fù)雜體系中，低溫工業(yè)冰箱宛如一位沉默卻關(guān)鍵的 “冷靜守護(hù)者”，發(fā)揮著不可或缺的作用。低溫工業(yè)冰箱通過壓縮機(jī)對(duì)制冷劑做功，使其在蒸發(fā)器中蒸發(fā)吸熱，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)箱體內(nèi)部空間的降溫，將溫度精準(zhǔn)控制在工業(yè)生產(chǎn)所需的低溫范圍，從零下15攝氏度到零下40攝氏度不等。上海和晟 HS-DW-40 低溫工業(yè)冰箱其應(yīng)用領(lǐng)域極為廣泛。在化工行業(yè)，一些特殊化學(xué)反應(yīng)需要在低溫環(huán)境下進(jìn)行，以保證反應(yīng)的精準(zhǔn)性與安全性，低溫工業(yè)冰箱提供了...

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發(fā)表于：2025-03-21 訪問量：702次來源：上海和晟儀器科技有限公司
自動(dòng)化控制在氫氧化鈣設(shè)備中的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)

自動(dòng)化控制在氫氧化鈣設(shè)備中的具體應(yīng)用石灰石煅燒過程：在石灰石煅燒過程中，自動(dòng)化控制系統(tǒng)可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)窯內(nèi)溫度，并根據(jù)設(shè)定的溫度曲線自動(dòng)調(diào)節(jié)燃料供應(yīng)和空氣流量，確保煅燒過程的穩(wěn)定性和高效性。消化過程：在氫氧化鈣的消化過程中，自動(dòng)化控制系統(tǒng)可以監(jiān)控消化槽內(nèi)的溫度和pH值，自動(dòng)調(diào)節(jié)加水量和攪拌速度，確保消化反應(yīng)的充分進(jìn)行。精制過程：在精制過程中，自動(dòng)化控制系統(tǒng)可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)產(chǎn)品的純度和顆粒度，自動(dòng)調(diào)節(jié)過濾和干燥設(shè)備的運(yùn)行參數(shù)，...

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發(fā)表于：2025-03-21 訪問量：466次來源：桂林礦山機(jī)械有限公司
湖南經(jīng)源MHR多效反應(yīng)機(jī)

MHR多效反應(yīng)機(jī)是一款專門針對(duì)鋰電池正極前驅(qū)體開發(fā)的，帶有強(qiáng)化混合裝置的液力攪拌反應(yīng)系統(tǒng)，其由多效強(qiáng)化混合裝置和液力攪拌反應(yīng)釜等組成，可實(shí)現(xiàn)快速、強(qiáng)效的共沉淀反應(yīng)。MHR多效反應(yīng)機(jī)利用計(jì)量泵將不同的溶液（堿、鹽、氨水等），同時(shí)泵送至多效強(qiáng)化混合器中，混合器采用多孔推流結(jié)構(gòu)形式，每種液體在混合器中實(shí)現(xiàn)快速、劇烈的對(duì)撞分散以及混合反應(yīng)后，進(jìn)入液力攪拌反應(yīng)釜，在反應(yīng)釜中，通過液力攪拌，實(shí)現(xiàn)渦流、擴(kuò)散等混合。 &...

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發(fā)表于：2025-03-21 訪問量：646次來源：湖南經(jīng)源科技有限公司
【熱點(diǎn)應(yīng)用】化學(xué)機(jī)械拋光用SiO2漿料樣品的顆粒表征

本文摘要磨料用SiO2 漿料的顆粒粒度對(duì)硅晶片的微觀形貌有直接影響，進(jìn)而會(huì)影響到后續(xù)工序電介質(zhì)膜的均勻性；此外，漿料的穩(wěn)定性也會(huì)影響晶片拋光過程，所以磨料的顆粒表征非常重要，本文介紹了利用動(dòng)態(tài)光散射技術(shù)（DLS）和電泳光散射技術(shù)（ELS）對(duì)硅基漿料的顆粒粒度和Zeta電位進(jìn)行表征的實(shí)驗(yàn)及結(jié)果討論。01丨背景介紹磨料漿液用于去除硅晶片表面的材料和不規(guī)則形貌。這樣做是為了在硅片表面形成附加電路元件。晶片的微觀形貌與所用漿...

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發(fā)表于：2025-03-21 訪問量：1280次來源：馬爾文帕納科
方解石基本情況分析

方解石主要通過以下方式形成：沉積作用：在海洋和湖泊中沉積形成石灰?guī)r。熱液作用：熱液礦床中常見方解石脈。生物作用：生物骨骼和貝殼中的碳酸鈣沉積。物理性質(zhì)硬度：莫氏硬度為3。密度：約2.71 g/cm3。顏色：無色、白色、灰色、黃色、綠色、藍(lán)色、粉色等。光澤：玻璃光澤至珍珠光澤。解理：具有完全的三組菱面體解理，解理面夾角為75°和105°。用途建筑材料：作為大理石的主要成分，用于建筑裝飾和雕刻。化工原料：用于制...

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發(fā)表于：2025-03-21 訪問量：753次來源：桂林礦山機(jī)械有限公司

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