山西天成半導(dǎo)體材料與您相約江蘇!2025第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長及晶圓加工技術(shù)研討會
隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的革新速度也進(jìn)一步加快。當(dāng)前,碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,在新能源汽車、光伏、儲能等新興領(lǐng)域正快速滲透,已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)。同時,我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域,碳化硅半導(dǎo)體將在我國5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
近年來,我國在SiC材料領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展,但與國際先進(jìn)水平相比,在晶體生長技術(shù)、晶圓加工技術(shù)等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長過程中面臨著晶體缺陷控制、生長速率提升、晶體質(zhì)量穩(wěn)定性等難題;晶圓加工方面,則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰(zhàn)。在當(dāng)前倡導(dǎo)節(jié)能減排的大趨勢下,快速穩(wěn)定地突破碳化硅單晶尺寸和質(zhì)量等關(guān)鍵問題,才能夠更好地占據(jù)未來碳化硅市場。
在此背景下,中國粉體網(wǎng)將于2025年8月21日在江蘇·蘇州舉辦第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長及晶圓加工技術(shù)研討會,大會將匯聚國內(nèi)行業(yè)專家、學(xué)者、技術(shù)人員、企業(yè)界代表圍繞晶體生長工藝、關(guān)鍵原材料、生長設(shè)備及應(yīng)用、碳化硅晶片切、磨、拋技術(shù)等方面展開演講交流。山西天成半導(dǎo)體材料有限公司作為參展單位邀請您共同出席。
山西天成半導(dǎo)體材料有限公司成立于2021年8月,由多位碳化硅(SiC)領(lǐng)域博士及具有頭部生產(chǎn)企業(yè)任職經(jīng)歷的業(yè)內(nèi)一線人員發(fā)起,是一家專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)及晶體生長裝備制造的高新技術(shù)企業(yè)。2023年,榮獲“第三代半導(dǎo)體年度新銳企業(yè)”。
公司現(xiàn)已形成了碳化硅(SiC)單晶爐制造、碳化硅(SiC)粉料制備、碳化硅(SiC)單晶生長和村底制備等完整的生產(chǎn)線,公司產(chǎn)品以6、8英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅(SiC)襯底為主,產(chǎn)品質(zhì)量數(shù)據(jù)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平,并可批量生產(chǎn)。
公司具備成熟科研團(tuán)隊、穩(wěn)定量產(chǎn)工藝、迭代技術(shù)儲備,立足于自主研發(fā),堅持產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新,突破了缺陷抑制、快速生長和籽晶處理等關(guān)鍵技術(shù),形成了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的完整技術(shù)路線。公司秉承'創(chuàng)新·高效·堅韌·務(wù)實”的企業(yè)精神,向“助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)健康持續(xù)發(fā)展”的企業(yè)愿景不斷邁進(jìn)。
產(chǎn)品介紹
1、鍵合機(jī)
2、電阻爐
3、8英寸N型碳化硅晶錠
產(chǎn)品詳情
以高純度碳化硅粉料為原料,使用自主研制的晶體生長爐,采用物理氣相傳輸法 (PVT 法) 成功生長出8英寸碳化硅晶錠
4、導(dǎo)電型襯底
產(chǎn)品詳情
6英寸N型導(dǎo)電型碳化硅襯底主要應(yīng)用于新能源汽車、高壓輸變電站、白色家電、高速列車、電機(jī)、光伏逆變、脈沖電源等領(lǐng)域,具有降低設(shè)備能量損耗、提升設(shè)備可靠性、縮小設(shè)備體積、提升設(shè)備性能等優(yōu)勢,在制作電力電子器件方面有著不可替代的優(yōu)勢。
主要應(yīng)用于電力電子器件新能源汽車-高速充電、降低能耗、縮小空間
高壓輸變電站-高壓電能轉(zhuǎn)換,降低能耗
白色家電-提升可靠性,高效能
高速列車-高壓電能轉(zhuǎn)換,高效能源利用
電機(jī)-節(jié)能減耗,高效能源利用
光伏逆變-降低能源損耗,提升可靠性
脈沖電源-戰(zhàn)略設(shè)施,確保國防安全
會務(wù)組
聯(lián)系人:段經(jīng)理
電話:13810445572
郵箱:duanwanwan@cnpowder.com
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