江蘇京創(chuàng)先進(jìn)電子科技與您相約江蘇！2025第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)
隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的革新速度也進(jìn)一步加快。當(dāng)前，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域正快速滲透，已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)。同時(shí)，我國(guó)“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，碳化硅半導(dǎo)體將在我國(guó)5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
近年來，我國(guó)在SiC材料領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，但與國(guó)際先進(jìn)水平相比，在晶體生長(zhǎng)技術(shù)、晶圓加工技術(shù)等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長(zhǎng)過程中面臨著晶體缺陷控制、生長(zhǎng)速率提升、晶體質(zhì)量穩(wěn)定性等難題；晶圓加工方面，則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰(zhàn)。在當(dāng)前倡導(dǎo)節(jié)能減排的大趨勢(shì)下，快速穩(wěn)定地突破碳化硅單晶尺寸和質(zhì)量等關(guān)鍵問題，才能夠更好地占據(jù)未來碳化硅市場(chǎng)。
在此背景下，中國(guó)粉體網(wǎng)將于2025年8月21日在江蘇·蘇州舉辦第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)，大會(huì)將匯聚國(guó)內(nèi)行業(yè)專家、學(xué)者、技術(shù)人員、企業(yè)界代表圍繞晶體生長(zhǎng)工藝、關(guān)鍵原材料、生長(zhǎng)設(shè)備及應(yīng)用、碳化硅晶片切、磨、拋技術(shù)等方面展開演講交流。江蘇京創(chuàng)先進(jìn)電子科技有限公司作為參展單位邀請(qǐng)您共同出席。
2013年京創(chuàng)先進(jìn)在“人間天堂”蘇州成立，公司總部位于常熟經(jīng)開區(qū)，研發(fā)中心及商務(wù)服務(wù)中心設(shè)立在相城區(qū)。公司多年來一直聚焦在高精密切、磨、拋技術(shù)領(lǐng)域，致力于提供先進(jìn)的自主化、系列化、智能化半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)裝備及配套工藝一體化解決方案，加速推進(jìn)行業(yè)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，助力我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
歷經(jīng)十載不懈的發(fā)展，公司現(xiàn)已發(fā)展成為擁有數(shù)字化研發(fā)創(chuàng)新中心、數(shù)萬(wàn)平米標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)基地、半導(dǎo)體制程先進(jìn)工藝聯(lián)合開發(fā)實(shí)驗(yàn)室以及一支完善的高水平專業(yè)化人才隊(duì)伍的高新技術(shù)企業(yè)。京創(chuàng)一直秉承“以客戶為先，以貢獻(xiàn)者為榮，堅(jiān)持合作開放，持續(xù)精進(jìn)創(chuàng)新”的價(jià)值觀，以科技創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，深入布局劃片、減薄、拋光設(shè)備三大產(chǎn)品線，為客戶創(chuàng)造價(jià)值，為振興民族工業(yè)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，貢獻(xiàn)一份力量和擔(dān)當(dāng)。
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