任娜 副研究員
| 專家姓名: | 任娜 | 職務(wù): | ||
| 職稱: | 副研究員 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
一直致力于碳化硅（SiC）電力電子器件的相關(guān)研究，其中包括SiC二極管和MOSFET器件的物理機制、結(jié)構(gòu)設(shè)計、工藝技術(shù)、芯片研制、器件測試與失效分析、性能與可靠性優(yōu)化等方向，并取得了一系列研究成果。 |
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| 自我介紹： | ||||
浙江大學電氣工程學院特聘副研究員，博士生導師。2010~2015年期間博士就讀于浙江大學電氣工程學院，2016~2019年期間在美國加州大學洛杉磯分校做博士后。在器件領(lǐng)域國際知名期刊與會議上共發(fā)表40篇論文，其中SCI論文23篇，獲得了3項美國專利，正在申請10多項美國專利和10多項中國專利，并獲得2017屆電力電子領(lǐng)域最權(quán)威的國際學術(shù)會議（APEC）的杰出報告獎，擔任2018年ECCE國際學術(shù)會議的分會場主席。2020年3月雙聘至浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院，并入選2020年浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心青年人才卓越計劃。 |
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| 所在單位: | 浙江大學 | |||
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