王茂俊 副教授
| 專家姓名: | 王茂俊 | 職務(wù): | ||
| 職稱: | 副教授 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
主要從事基于GaN的第三代寬禁帶半導(dǎo)體電子器件的研究，研究方向包括GaN基射頻微波器件以及電力電子功率開關(guān)器件的器件物理和工藝。 |
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| 自我介紹： | ||||
在國(guó)際物理及器件期刊，如IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices, Applied Physics Letters，Journal of Applied Physics上發(fā)表學(xué)術(shù)論文40多篇，多次在氮化物材料和器件相關(guān)的國(guó)際會(huì)議，如ICNS，IWN，TWHM, ISPSD以及IEDM上作報(bào)告。主持或參與了國(guó)家自然科學(xué)基金青年、面上、重點(diǎn)項(xiàng)目，以及國(guó)家重大專項(xiàng)、重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等科研項(xiàng)目。 |
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| 所在單位: | 北京大學(xué) | |||
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