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磁控濺射儀SD-900M
磁控濺射儀SD-900M

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SD-900M 型離子濺射儀外觀亮麗做工精致。一般針對(duì)不耐高溫的樣品(如:薄膜類樣品,樹(shù)脂類等等)

磁控濺射是物理氣相沉積的一種。

一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料,且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),

磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射,必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng),利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率。

需要鍍膜的樣品

1、電子束敏感的樣品:

主要包括生物樣品,塑料樣品等。SEM中的電子束具有較高能量,在與樣品的相互作用過(guò)程中,它以熱的形式將部分能量傳遞給樣品。如果樣品是對(duì)電子束敏感的材料,那這種相互作用會(huì)破壞部分甚至整個(gè)樣品結(jié)構(gòu)。這種情況下,用一種非電子束敏感材料制備的表面鍍層就可以起到保護(hù)層的作用,防止此類損傷;

2、非導(dǎo)電的樣品:

由于樣品不導(dǎo)電,其表 面帶有“電子陷阱”, 這種表面上的電子積累 被稱為“充電”。為了 消除荷電效應(yīng),可在樣 品表面鍍一層金屬導(dǎo)電 層,鍍層作為一個(gè)導(dǎo)電 通道,將充電電子從材 料表面轉(zhuǎn)移走,消除荷 電效應(yīng)。在掃描電鏡成 像時(shí),濺射材料增加信 噪比,從而獲得更好的成像質(zhì)量。

3、新材料:非導(dǎo)電材料和半導(dǎo)體材料

原理:

在磁控濺射中,由于運(yùn)動(dòng)電子在磁場(chǎng)中受到洛侖茲力,它們的運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動(dòng),其運(yùn)動(dòng)路徑變長(zhǎng),因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù),使等離子體密度增大,從而磁控濺射速率得到很大的提高,而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作,降低薄膜污染的傾向;另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量,因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。同時(shí),經(jīng)過(guò)多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽(yáng)極時(shí),已變成低能電子,從而不會(huì)使基片過(guò)熱。

參數(shù):

主機(jī)規(guī)格:300mm×360mm×380mm(W×D×H)

靶(上部電極):金:50mm×0.1mm(D×H)

靶材:Au(標(biāo)配)也可根據(jù)實(shí)際情況配備銀靶、鉑靶等

樣品室:硼硅酸鹽玻璃160mm×120mm(D×H)

樣品臺(tái):可安裝直徑50mm和直徑70mm的樣品臺(tái),也可根據(jù)自身要求定制樣品臺(tái)

靶材尺寸:Ф50mm

真空指示表: **真空度:≤ 4X10-2 mbar

離子電流表: **電流:100mA

定時(shí)器: *長(zhǎng)時(shí)間:0-360S

微型真空氣閥:可連接φ3mm軟管

可通入氣體: 多種

**電壓: -1600 DCV

機(jī)械泵:標(biāo)準(zhǔn)配置2L/S(國(guó)產(chǎn)VRD-8)

輸入電壓:220V(可做110V),50HZ

特點(diǎn):

1、經(jīng)濟(jì)、可靠、外觀精美。

2、成膜速率高。

3、基片溫度低。

4、膜的粘附性好。

5、可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜。

6、可調(diào)節(jié)濺射電流和真空室壓強(qiáng)以控制鍍膜的速率和顆粒的大小。

7、SETPLASMA手動(dòng)啟動(dòng)按鈕可預(yù)先設(shè)置好壓強(qiáng)和濺射電流避免對(duì)膜造成不必要的損傷。

8、真空保護(hù)可避免真空過(guò)低造成設(shè)備短路。

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