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美國Denton 金/碳鍍膜機Vacuum
詳細介紹
丹頓真空位于美國費城，是世界**真空鍍膜設備制造商。 自一九六四年成立至今丹頓已為全球客戶制造了數(shù)千臺多種規(guī)格的蒸發(fā)設備、濺射和PECVD鍍膜系統(tǒng)，用于大型工業(yè)生產、科研開發(fā)和小規(guī)模制造。 丹頓用于科研開發(fā)和小規(guī)模制造的中小型鍍膜設備據美國市場占有率之首。
蒸發(fā)膜的厚度分布
蒸發(fā)源的排放分布特性可用于確定真空室中用于生產均勻厚度涂層的正確幾何形狀。
在大孔徑襯底上或者在裝載有許多小襯底的架子上生產均勻厚度的涂層可以通過對裝有測試件的架子進行重復試驗來完成。從一次試運行到下一次試運行，有意改變了幾何形狀 - 例如蒸發(fā)源的偏移量增加了，直到找到**排列。
在本文中，我們首先測量了位于已知徑向距離處的測試件上的涂層的厚度，在真空蒸發(fā)室中的單個旋轉平板架上，并使用這些數(shù)據來查找源發(fā)射函數(shù)。然后使用已知的發(fā)射函數(shù)來確定在直徑上產生**厚度均勻性的源偏移和弧線曲率。
更低的成本...更高的****率
離子輔助沉積可提供高要求的光學應用所需的高品質，無缺陷，低應力，環(huán)境穩(wěn)定（無漂移）的薄膜。
您將受益于：
獨立控制離子電流密度和離子能量以優(yōu)化薄膜性能
長期運行，100％氧氣或氮氣反應氣體穩(wěn)定運行，延長運行時無過程漂移
冷陰極離子源是差分泵浦器件，等離子體腔室的一端通向真空環(huán)境。離子源的操作參數(shù)和薄膜的質量受控制真空度的參數(shù)的影響。在抽速很高的系統(tǒng)中制作好的薄膜要容易得多。當比較IAD薄膜沉積參數(shù)時，壓力的差異可能是由泵浦速率引起的。
Desk V HP 專用電子顯微鏡樣品制備
– 金/碳鍍膜機特點(SEM / TEM / FE-SEM)
● 內置泵系統(tǒng)
● 極短的沉積時間
● 一致的沉積參數(shù)
● 圖形界面彩色觸摸板
● 薄膜厚度控制
● 樣品清潔的蝕刻模式
● 多樣靶材材料選擇
● 更多可選功能
暫無數(shù)據！
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