看了電子荷質(zhì)比實驗裝置的用戶又看了
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模塊化設計
電源帶數(shù)字顯示均可獨立使用或其他實驗,比如光電效應、核磁共振等。
寬電壓電源設計,可在110V與220V之間切換,適用于大多數(shù)國家使用。
亥姆霍茲線圈模塊包含一對線圈和勵磁電源,可改變的磁場大小,通用性強,可以做亥姆霍茲線圈等實驗,應用更為廣泛。
可選用 PASCO Capstone 軟件對電子束作圖像采集與分析
可選用 PASCO Capstone 軟件進行錄制電子束在磁場作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)的全過程,測量電子束形成封閉圓圈的半徑,并通過公式編輯器計算 e/m 或其它參數(shù)。
可旋轉(zhuǎn)的湯姆遜管
立式設計的湯姆遜燈管,更好的觀察電子束的運動軌跡
湯姆遜燈管可旋轉(zhuǎn) -45°~ +45°,學生可以通過旋轉(zhuǎn)湯姆遜管,觀察電子束在磁場中受不同方向洛倫茲力時, 電子束的偏轉(zhuǎn)軌跡。
熒光標尺
熒光標尺,即便在暗環(huán)境中也可觀測電子束的位置與半徑。
物理實驗觀察用暗箱
可為荷質(zhì)比基座選配遮光暗箱, 使該實驗不再受環(huán)境光的影響。
典型實驗內(nèi)容及數(shù)據(jù)
1. 觀察電子束在磁場中的運動軌跡
在沒有外加磁場的情況下,電子束的軌跡。
在外加磁場與電子束出射方向垂直的情況下,電子束的軌跡是一個封閉的圓。
在外加磁場與電子束出射方向不垂直的情況下,電子束的軌跡是一個螺旋線。
2.計算電子的荷質(zhì)比
R =158mm N = 130 匝
B=(4/5)3/2 × μ0• N • IH / R
e/m=2U• (5/4)3• R2 / (N • μ0 • IH • r) 2 ;
e/m測量值與理論值之間的相對誤差小于 5%。
部件列表
BEM-5002 可調(diào)直流 (恒壓) 電源II,12V/100V/200V
BEM-5003 可調(diào)直流(恒流) 電源, 3.5A/6.3V
BEM-5017 電子荷質(zhì)比基座,含亥姆霍茲線圈和鏡面標尺
BEM-5703 電子束發(fā)射管
選配件
BEM-5226 物理實驗觀察用暗箱
UI-5400 Capstone數(shù)據(jù)分析軟件
包裝清單
實驗裝置1套(詳見部件清單);電源線2根;紅黑導線各5根;手冊1本
暫無數(shù)據(jù)!