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產(chǎn)品名稱：介電常數(shù)測試儀

產(chǎn)品型號：LJD-B、LJD-C、QS-37

符合標(biāo)準(zhǔn)：GB/T1409、GB/T5594

產(chǎn)品用途：固體、液體絕緣材料的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試

適用材料：橡膠塑料薄膜、陶瓷玻璃、絕緣材料、高分子材料等

測試范圍：10KHZ-70MHZ、100KHZ-160MHZ

主要配置：主機Q表、夾具、電感組成

測試項目：介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、介質(zhì)損耗因數(shù)、介質(zhì)損耗角正切值

使用人群：科研所、教學(xué)、質(zhì)量監(jiān)督局、**單位等

付款方式：全款發(fā)貨

產(chǎn)品品牌：中航鼎力

產(chǎn)品貨期：1-3個工作日

產(chǎn)品類別：電性能檢測儀器

ASTM D150-11

實心電絕緣材料的交流損耗特性和

電容率（介電常數(shù)）的標(biāo)準(zhǔn)試驗方法¹

本標(biāo)準(zhǔn)是以固定代號D150發(fā)布的。其后的數(shù)字表示原文本正式通過的年號；在有修訂的情況下，為上一次的修訂年號；圓括號中數(shù)字為上一次重新確認的年號。上標(biāo)符號（ε）表示對上次修改或重新確定的版本有編輯上的修改。

　　　　本標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)批準(zhǔn)用于國防部所有機構(gòu)。

1.介電常數(shù)測試儀范圍

1.1 本試驗方法包含當(dāng)所用標(biāo)準(zhǔn)為集成阻抗時，實心電絕緣材料樣本的相對電容率，耗散因子，損耗指數(shù)，功率因子，相位角和損耗角的測定。列出的頻率范圍從小于1Hz到幾百兆赫茲。

注1：在普遍的用法，“相對”一詞經(jīng)常是指下降值。

1.2 這些試驗方法提供了各種電極，裝置和測量技術(shù)的通用信息。讀者如對某一特定材料相關(guān)的議題感興趣的話，必須查閱ASTM標(biāo)準(zhǔn)或直接適用于被測試材料的其它文件。^2，3

1.3　　本標(biāo)準(zhǔn)并沒有完全列舉所有的安全聲明，如果有必要，根據(jù)實際使用情況進行斟酌。使用本規(guī)范前，使用者有責(zé)任制定符合安全和健康要求的條例和規(guī)范，并明確該規(guī)范的使用范圍。特殊危險說明見7.2.6.1和10.2.1。

¹　本規(guī)范歸屬于電學(xué)和電子絕緣材料ASTM D09委員會管轄，并由電學(xué)試驗D09.12附屬委員分會直接管理。

當(dāng)前版本核準(zhǔn)于2011年8月1日。2011年8月發(fā)行。原版本在1922年批準(zhǔn)。前一較新版本于2004年批準(zhǔn)，即為　D150-98R04。DOI：10.1520/D0150-11。

²　R. Bartnikas， 第2章， “交流電損耗和電容率測量，” 工程電介質(zhì)， Vol. IIB， 實心絕緣材料的電學(xué)性能， 測量技術(shù)， R. Bartnikas， Editor， STP 926，ASTM， Philadelphia， 1987.

³　R. Bartnikas， 第1章， “固體電介質(zhì)損耗，” 工程電介質(zhì)，Vol IIA， 實心絕緣材料的電學(xué)性能: 分子結(jié)構(gòu)和電學(xué)行為， R. Bartnikas and R. M. Eichorn， Editors， STP 783， ASTM， Philadelphia， 1983.

2.介電常數(shù)測試儀引用文件2.1 ASTM標(biāo)準(zhǔn)：⁴

D374 　　　　固體電絕緣材料厚度的標(biāo)準(zhǔn)試驗方法

D618 　　　　試驗用塑料調(diào)節(jié)規(guī)程

D1082 　　　云母耗散因子和電容率（介電常數(shù)）試驗方法

D1531 　　　用液體位移法測定相對電容率（介電常數(shù)）與耗散因子的試驗方法

D1711 　　　電絕緣相關(guān)術(shù)語

D5032 　　　用飽和甘油溶液方式維持恒定相對濕度的規(guī)程

E104 　　　　用水溶液保持相對恒定濕度的標(biāo)準(zhǔn)實施規(guī)程

E197 　　　　室溫之上和之下試驗用罩殼和服役元件規(guī)程（1981年取消）⁵

3.介電常數(shù)測試儀術(shù)語

3.1 定義：

3.1.1 這些試驗方法所用術(shù)語定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語定義見術(shù)語標(biāo)準(zhǔn)D1711。

3.2 本標(biāo)準(zhǔn)專用術(shù)語定義：

3.2.1 電容，C，名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢差時，導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲存電分離電荷的性能。

3.2.1.1 討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫倫為單位，電位采用伏特為單位時，電容單位為法拉，即：

C=q/V 　　　　　　　　　?。?）

3.2.2 耗散因子（D），（損耗角正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數(shù)（K''）與相對電容率（K'）之間的比值，它還等于其損耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值（見圖1和圖2）。

D=K''/K' 　　　　(2)

⁴　相關(guān)ASTM標(biāo)準(zhǔn)，可瀏覽ASTM網(wǎng)站，或與ASTM客服service@********聯(lián)系。ASTM標(biāo)準(zhǔn)手冊卷次信息，可參見ASTM網(wǎng)站標(biāo)準(zhǔn)文件匯總。

⁵　該歷史標(biāo)準(zhǔn)的較后批準(zhǔn)版本參考網(wǎng)站。

3.2.2.1 討論——a：

D=tanδ=cotθ=X_p/R_p=G/ωC_p=1/ωC_pR_p　　　　　　　　(3)

式中：

G=等效交流電導(dǎo)，

X_p=并聯(lián)電抗，

R_p=等效交流并聯(lián)電阻，

C_p=并聯(lián)電容，

ω=2πf（假設(shè)為正弦波形狀）

耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q，有時成為儲能因子。對于串聯(lián)和并聯(lián)模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：

D=ωR_sC_s=1/ωR_pC_p　　　　　　　　(4)

串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求：

C_p=C_s/(1 D²) 　　　　　　　　　　　　(5)

R_p/R_s=(1 D²)/D²=1 (1/D²)=1 Q²　　　　　　　　　　　　　(6)

4、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件（裝入AS2853A)，實現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計算的微處理化，tanδ 測量結(jié)果的獲得無須繁瑣的人工處理，因而提高了數(shù)據(jù)的精確度和測量的同一性，是人工讀值和人工計算無法比擬的。

三、主要技術(shù)特性及配置

主要配置