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VCU創(chuàng)傷性顱腦損傷儀
VCU創(chuàng)傷性顱腦損傷儀

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創(chuàng)傷性腦損傷(traumatic brain injury,TBI)是神經(jīng)外科*常見的疾病,是導致創(chuàng)傷患者傷殘及死亡的主要原因。研究腦損傷后的神經(jīng)生化、神經(jīng)病理生理等方面的變化,可為探索行之有效的腦保護治療提供幫助,將有助于提高顱腦損傷患者的生存率及生存質(zhì)量。故建立各種便于觀察和施加干預因素、控制性佳、可分級、可復制性好并符合人類腦創(chuàng)傷特點的創(chuàng)傷性腦損傷模型,是目前創(chuàng)傷性腦損傷的研究熱點。

VCU動物顱腦損傷儀可以分為細胞損傷控制儀(CIC),電子腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀(eCCI)及液壓沖擊損傷儀(FPI)。這三種產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應用于世界范圍內(nèi)的顱腦創(chuàng)傷研究中心,是目前**的顱腦創(chuàng)傷模型制作的金標準。同時FPI損傷儀還可應用到眼科損傷模型,CIC細胞損傷儀可以應用到其它種類細胞損傷模型的制作。

液壓沖擊損傷儀(FPI)

液壓沖擊損傷儀(Fluid Percussion Injury)是由VCU大學所制作設計的,針對神經(jīng)創(chuàng)傷機制研究。成為全球研究神經(jīng)創(chuàng)傷廣泛使用的儀器,基本的組件是采取***的Power coating process技術(shù),鋁制部分的組件都已經(jīng)電鍍以避免氧化且可以長久使用。液壓沖擊腦損傷儀可以重復一致的產(chǎn)生液壓沖擊損傷(FPI)。

系統(tǒng)優(yōu)點:

可方便的排除氣飽。

角度刻度可方便觀察撞擊角度。

集成壓基準力輸出,方便校準??奢敵鼍_沖擊壓力。

配備高精度的壓力傳感

細胞損傷控制儀(CIC)

細胞損傷控制儀(Cell Injury Controller II)采取電子式控制,適合腦源性細胞培養(yǎng)樣品,或其它離體培養(yǎng)細胞的牽張性(strain-induced trauma)損傷模型制作。損傷后可進行神經(jīng)生化、形態(tài)學、生理學,藥物干預等方面的研究。細胞損傷控制儀使用Flexcell Int’l corp具有**的組織培養(yǎng)系統(tǒng)。細胞損傷控制儀平均把壓縮氣體送到每個培養(yǎng)室,以造成培養(yǎng)組織牽張性的損傷,損傷的嚴重程度是依靠控制進出密閉培養(yǎng)室的氣體量。培養(yǎng)室的峰值壓力同時被記錄下來,這個數(shù)值可以用來精確地表明引起牽張性細胞損傷的氣壓值。細胞損傷控制儀(CIC II)可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I (針對VCU早期的細胞損傷控制儀)或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。因為根據(jù)所采用的細胞種類、損傷的程度、培養(yǎng)的狀況,受損后的細胞或許會因為上述因素死亡或修復,所以VCU的細胞損傷控制儀(CIC II)很適合應用在下列損傷反應研究:細胞受損、修護,死亡,藥物介入。

電子腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀(eCCI)

由VCU大學所制作設計的電子大腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀(electric Cortical Contusion Impactor),主要針對腦皮質(zhì)挫傷模型。是神經(jīng)損傷研究機構(gòu)****的損傷模型制作工具。電子大腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀(eCCI)的組件有: 堅固的鋁架,動物平臺,撞擊控制器和撞擊頭。動物平臺可以和各種立體定位儀搭配使用。eCCI電子大腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀使用高級的線性馬達驅(qū)動撞擊頭,并由控制器來控制撞擊參數(shù),實現(xiàn)不同程度的損傷。撞擊頭的組件部分有含感應器,可以確定速率、撞擊深度及撞擊停留。這些撞擊參數(shù)完全可以重復實現(xiàn)。

與傳統(tǒng)Feeney's自由落體硬膜外撞擊方法相比有以下優(yōu)點:

可精確連續(xù)的控制撞擊速度,并獲得實際撞擊深度和停留時間等參數(shù)。而非重量差異很大的撞擊。由于可精確控制撞擊速度和獲得實際撞擊結(jié)果參數(shù),eCCI電子大腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀可以精確重復制作挫傷損傷模型。減少動物死亡。使實驗過程更加直觀,可控。

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