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應(yīng)用范圍：

離子注入/接觸退火；

快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)；

SiAu，SiAl，SiMo等煉制合金；

低K電介質(zhì)；

后植入退火處理；

銅漿燒制；

電阻漿料燒制；

太陽(yáng)能電池晶片鍵合工藝；

LTO鈦酸鋰材料制備；

晶體化，致密化；

產(chǎn)品特點(diǎn)：

JetLight無需真空，大氣即可處理;

高純度石英腔體；

可達(dá)300mm的晶圓尺寸；

同時(shí)接入四路氣體，常用：N2，O2，N2，H2，Ar；

真空負(fù)壓和惰性氣體常壓兩種模式靈活選擇；

三個(gè)斜面石英Pin腳將晶片（或基座）固定在腔室中，石英針的設(shè)計(jì)可提高溫度均勻性。

底部設(shè)計(jì)成非?？焖俚氖N開關(guān)，例如，從4~2英寸，8~4英寸裝載切換，則只需一分鐘。

提高基板上的溫度均勻性，爐具有3~6個(gè)獨(dú)立的加熱區(qū)域，允許增加基板邊緣的功率，以補(bǔ)償樣品邊緣上的熱損失。