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東尼采用的前沿技術(shù)突破了碳化硅單晶材料的大直徑生長、多型控制、應(yīng)力和位錯(cuò)缺陷降低等關(guān)鍵問題，解決了碳化硅晶體生長缺陷數(shù)量的控制和晶體品質(zhì)的瓶頸問題，從而得到高質(zhì)量、大尺寸的碳化硅單晶材料。
通過采用多重物理量有限元素工程分析軟件，優(yōu)化長晶熱場(chǎng)、流場(chǎng)，獲得**的徑向溫度梯度
采用碳化鉭涂布工藝技術(shù)，抑制熱場(chǎng)中雜質(zhì)的揮發(fā)，提高晶體品質(zhì)
優(yōu)化研磨技術(shù)與特殊拋光工藝技術(shù)，提高量產(chǎn)良率和晶體品質(zhì)的一致性
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