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品名：TaNiS5 晶體
制造方法：
化學(xué)氣相沉積法， Chemical Vapor Deposition （CVD）
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
| 晶體大小 | 3-10nm |
| 晶體種類 | Magnetic semiconductor |
| 純度 | >99.999% |
表征方法 | EDS，SEM，Raman |
晶體生長(zhǎng)方式 | CVD化學(xué)氣相傳輸法 |
應(yīng)用領(lǐng)域：
光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。
參考文獻(xiàn)
1， Sunshine, Steven A., and James A. Ibers. "Structure and physical properties of the new layered ternary chalcogenides tantalum nickel sulfide (Ta2NiS5) and tantalum nickel selenide (Ta2NiSe5)." Inorganic Chemistry 24.22 (1985): 3611-3614.
2，Di Salvo, F. J., et al. "Physical and structural properties of the new layered compounds Ta2NiS5 and Ta2NiSe5." Journal of the Less Common Metals 116.1 (1986): 51-61.
3， Larkin, T. I., et al. "Infrared phonon spectra of quasi-one-dimensional Ta 2 NiSe 5 and Ta 2 NiS 5." Physical Review B 98.12 (2018): 125113.
4， Yan, Bingzheng, et al. "Ternary chalcogenide Ta 2 NiS 5 as a saturable absorber for a 1.9 μm passively Q-switched bulk laser." Optics letters44.2 (2019): 451-454.
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