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為半導(dǎo)體晶圓存儲(chǔ)容器（FOUP）設(shè)計(jì)的自動(dòng)化清洗設(shè)備，通過(guò)多槽化學(xué)清洗、超聲波空化、噴淋漂洗、干燥等工藝，高效去除FOUP表面的油污、顆粒、氧化物及工藝殘留物，適用于半導(dǎo)體制造、封裝測(cè)試、先進(jìn)研發(fā)實(shí)驗(yàn)室等場(chǎng)景，滿足ISO 14644 Class 10潔凈度要求。

核心優(yōu)勢(shì)

全自動(dòng)智能化清洗

機(jī)器人上下料：集成機(jī)械臂自動(dòng)抓取FOUP，實(shí)現(xiàn)全程無(wú)人化操作；

多槽聯(lián)動(dòng)設(shè)計(jì)：化學(xué)清洗→超聲波清洗→噴淋漂洗→熱風(fēng)干燥，全流程閉環(huán)控制；

工藝參數(shù)可調(diào)：通過(guò)PLC+觸摸屏編程，精準(zhǔn)設(shè)置溫度（20°C-80°C）、時(shí)間、超聲波頻率等參數(shù)。

高精度潔凈度保障

UF級(jí)超純水漂洗：配備0.1μm顆粒過(guò)濾器，杜絕二次污染；

PFA/PTFE耐腐蝕槽體：兼容HF、H2O2、DI Water等化學(xué)液，適應(yīng)嚴(yán)苛清洗環(huán)境；

顆粒去除率≥99.99%：殘留物≤0.03μm，滿足先進(jìn)制程需求（如5nm以下芯片）。

高效節(jié)能與安全合規(guī)

化學(xué)液循環(huán)系統(tǒng)：減少耗材消耗，降低運(yùn)行成本；

低溫干燥技術(shù)：避免FOUP變形或材質(zhì)損傷；

SEMI S8/S2認(rèn)證：防爆設(shè)計(jì)、泄漏檢測(cè)、緊急停機(jī)功能，確保操作安全。

靈活適配性

兼容多種FOUP規(guī)格：支持12英寸、14英寸標(biāo)準(zhǔn)盒及定制尺寸；

模塊化設(shè)計(jì)：可增配UV光照消毒、真空干燥等模塊，滿足特殊需求。

技術(shù)參數(shù)

應(yīng)用場(chǎng)景

半導(dǎo)體制造：

光刻機(jī)配套FOUP清洗，避免光刻膠殘留污染晶圓；

蝕刻后FOUP去污，防止交叉污染；

封裝前FOUP清潔，提升芯片封裝良率。

封裝測(cè)試（OSAT）：

存儲(chǔ)卡匣清洗，確保多批次晶圓運(yùn)輸?shù)臐崈舳龋?/p>

老化FOUP翻新，延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。

科研機(jī)構(gòu)與實(shí)驗(yàn)室：

先進(jìn)制程研發(fā)中FOUP的清潔驗(yàn)證；

第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）材料存儲(chǔ)容器清洗。