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產(chǎn)品介紹

PRODUCT INTRODUCTION

Puristone晶圓幾何形貌量測(cè)設(shè)備，光譜共焦毫秒級(jí)解析THICKNESS/TTV/BOW等全參數(shù)白光干涉亞納米3D重構(gòu)粗糙度+形貌;七點(diǎn)相移算法突破單層/多層膜厚極限，紅外多頻技術(shù)智能穿透碳化硅/氮化鎵等硬材BONDING WAFER!-機(jī)掌控全域精密測(cè)量!

產(chǎn)品特點(diǎn)

PRODUCT FEATURES

檢測(cè)范圍廣

系統(tǒng)兼容150mm至300mm不同尺寸的晶圓處理，同時(shí)支持標(biāo)準(zhǔn)片、Frame片、Taiko片以及減薄片等多種晶圓類型，全面滿足先進(jìn)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中的質(zhì)量檢測(cè)與尺寸量測(cè)需求。

覆蓋廣泛

專注于亞微米級(jí)精度的2D與3D圖形缺陷檢測(cè)，以及關(guān)鍵尺寸（CD）與套刻精度（OVL）的精密量測(cè)，廣泛適用于多種半導(dǎo)體制造缺陷的檢測(cè)，包括但不限于殘膠、過顯影問題、RDL（再布線層）缺陷、Bump變形、金屬殘留及表面臟污等。

精準(zhǔn)全測(cè)

集成了白光三角測(cè)量技術(shù)，精準(zhǔn)測(cè)定Bump和RDL高度，測(cè)量范圍覆蓋1um至400um；同時(shí)，采用紅外測(cè)量技術(shù)，對(duì)TSV（硅通孔）的高度與寬度進(jìn)行精確量測(cè)，范圍達(dá)1-150um。此外，設(shè)備還配備了白光干涉測(cè)量功能，不僅能夠測(cè)量1um至200um范圍內(nèi)的厚度，還具備檢測(cè)內(nèi)部裂紋、線路缺陷等高級(jí)檢測(cè)能力，確保全面而精確的半導(dǎo)體制造質(zhì)量管控。

穩(wěn)定高效

搭載高性能系統(tǒng)平臺(tái)，采用高剛性大理石基座確保穩(wěn)定，配備X/Y運(yùn)動(dòng)平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)高達(dá)1G加速度與小于1um的定位精度。高性能氣浮隔振技術(shù)有效隔絕環(huán)境振動(dòng)干擾，而高響應(yīng)、高負(fù)載（35KG）的Z軸設(shè)計(jì)，支持多個(gè)檢測(cè)模塊實(shí)時(shí)對(duì)焦響應(yīng)。