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干激光劃片:
1、晶圓開(kāi)槽:干激光作用是去除劃道內(nèi)部的金屬層(金屬層會(huì)粘連在刀片上,影響切割道質(zhì)量),然后使用金剛刀片切硅材料部分;
2、晶圓隱切:晶圓劃道內(nèi)改質(zhì)切割,然后采用裂片的方式再次處理晶圓,但該工藝成熟度不高切割質(zhì)量不穩(wěn)定;
3、晶圓全切:主要是熱影響導(dǎo)致現(xiàn)階段不能大規(guī)模使用。微射流邀光劃片:晶圓開(kāi)槽、帶金屬層全切(不受切割道內(nèi)材料影響),一次性切除晶圓材料,同時(shí)保證藍(lán)膜不斷,便于下一步轉(zhuǎn)運(yùn)操作。
目前金剛刀劃片技術(shù)工藝存在下述工藝瑕疵:
1、粘連(金屬襯底等材料會(huì)粘連拉絲)；
2、Die strength越薄的wafer速度越慢,厚度25um的wafer的加工速度小于50mm/s,與微射流激光技術(shù)剛好相反。
暫無(wú)數(shù)據(jù)！
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