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微電子所在石墨烯晶體管物理模型及其電路應(yīng)用研究中獲進(jìn)展


來源:微電子研究所

[導(dǎo)讀]  中國(guó)科學(xué)院微電子研究所在石墨烯晶體管物理模型及其電路應(yīng)用研究方面取得進(jìn)展。在國(guó)際上首次提出了針對(duì)石墨烯晶體管的連續(xù)物理模型。該模型涵蓋了長(zhǎng)程和短程散射機(jī)制,可以準(zhǔn)確描述器件的溫度特性,并與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)保持較高的吻合度。
中國(guó)粉體網(wǎng)訊  近日,中國(guó)科學(xué)院微電子研究所在石墨烯晶體管物理模型及其電路應(yīng)用研究方面取得進(jìn)展。

    微電子所微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在中國(guó)科學(xué)院、國(guó)家自然科學(xué)基金委和科技部的支持下,長(zhǎng)期致力于分子電子學(xué)基本問題的研究,基于半經(jīng)典的玻爾茲曼傳輸理論和熱激發(fā)傳輸理論,在國(guó)際上首次提出了針對(duì)石墨烯晶體管的連續(xù)物理模型。該模型涵蓋了長(zhǎng)程和短程散射機(jī)制,可以準(zhǔn)確描述器件的溫度特性,并與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)保持較高的吻合度。該模型可通過VA編程嵌入商業(yè)化的CAD軟件中,用于準(zhǔn)確描述器件連續(xù)的交流和直流特性,使電路級(jí)預(yù)測(cè)和射頻電路設(shè)計(jì)預(yù)測(cè)成為可能。相關(guān)研究被收錄于IEDM., Washington, DC,December 7-9, 2015。


基于表面勢(shì)適用于石墨烯晶體管的物理模型及其在電路中的應(yīng)用
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