中國粉體網訊 目前隨著用戶對電子產品的配置要求越來越高，存儲技術也進行著快速的發(fā)展。而作為曝光率最高的納米技術之一，什么東西只要跟碳納米管沾邊馬上就顯得高大上了。據外媒報道，日本富士通公司日前宣布與美國Mantero公司達成合作協議，雙方將共同推進碳納米管內存（NRAM）研發(fā)、制造，這種內存的速度號稱是普通閃存的1000倍，預計2018年底正式推出產品，制程工藝是55nm的。
據介紹，在納米技術研究領域，碳納米管（也叫富勒烯，簡稱CNT）是一種很獨特的材料，直徑只有人類頭發(fā)的5萬分之一，能導熱導電，硬度是鋼鐵的50倍，從這項技術研發(fā)出來之后，就經常出現以碳納米管為基礎的各種高科技，包括各種神器的電池。在存儲領域，碳納米管通過硅基沉底也能實現0、1變化，因此也可以存儲芯片，而且是非易失性的，斷電也不會清除數據。
然而，相比普通閃存，NRAM存儲芯片的優(yōu)勢太多了，讀寫速度是普通閃存的1000倍（Nanteo官網上說是1000倍，圖表上是100倍），同時功耗更低，可靠性、耐用性更強，成本更低。
據報道稱，Nantero這次與富士通合作，后者將把NRAM內存整合到自家芯片中，預計2018年底推出，制程工藝為55nm。而事實上，NRAM到底就目前來說還是屬于一種新技術，Nantero公司從2006年就說生產碳納米管內存了，但是一直沒什么進展。即便是跟富士通達成合作了，量產的NRAM芯片還是256Gb（32MB）大小的，容量還是太小了，只適合一些嵌入式領域，不過相信只要加大投入研發(fā)，一定可以得到滿意的成果的。
