中國粉體網(wǎng)訊  首款全碳化硅模塊EASY1B 已經(jīng)量產(chǎn)，2022年，碳化硅半導(dǎo)體材料的市場規(guī)�；�?qū)⑦_到40億美元。

英飛凌在2016年6月上海舉辦的PCIM上展出了首款全碳化硅模塊，在2017年紐倫堡舉辦的PCIM上展出了1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓撲，現(xiàn)在，英飛凌已經(jīng)實現(xiàn)首款全碳化硅模塊EASY1B 的量產(chǎn)。

碳化硅具有寬能級、高擊穿電場、高熱傳導(dǎo)率以及高飽和電子遷移速度等獨特、優(yōu)良的物理和電子特性，由碳化硅微粉制作的碳化硅半導(dǎo)體是新一代寬禁帶半導(dǎo)體，碳化硅半導(dǎo)體具有熱導(dǎo)率高(比硅高3倍)、與GaN晶格失配小(4%)等優(yōu)勢，是半導(dǎo)體領(lǐng)域的最佳材料。

碳化硅微粉制備功率模塊流程圖如下：

盡管英飛凌已經(jīng)實現(xiàn)首款全碳化硅模塊EASY1B 的量產(chǎn) ，但是以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料，在材料和器件制備技術(shù)方面還有很多問題，如何提高碳化硅晶片的尺寸以及碳化硅晶片量產(chǎn)難、制作成本高等問題都制約著碳化硅半導(dǎo)體的應(yīng)用發(fā)展 。 不過，隨著大量資金投入相關(guān)科研項目和研究所，碳化硅半導(dǎo)體的應(yīng)用爆發(fā)期即將來臨，根據(jù)預(yù)測，到2022年，碳化硅半導(dǎo)體材料的市場規(guī)模或?qū)⑦_到40億美元，年平均復(fù)合增長率可達45%。

碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，對生產(chǎn)碳化硅粉的企業(yè)來說既是機遇也是挑戰(zhàn)。一方面對中小型企業(yè)來說，由于生產(chǎn)技術(shù)落后等因素，生產(chǎn)不出高品質(zhì)的碳化硅微粉，就將面對市場淘汰或被吞并。另一方面可以推動資源整合，優(yōu)化資源配置，使碳化硅粉市場更加有序穩(wěn)定。