中國粉體網訊  近年來，隨著一些熱電輸運新效應和新機制的提出和發(fā)展，許多新的高性能熱電材料體系也相繼被發(fā)現。其中，類金剛石結構化合物由金剛石結構衍生而來，由于構成元素的原子半徑和化學價態(tài)不同，材料的晶格發(fā)生扭曲，從金剛石的立方結構轉變?yōu)榉橇⒎浇Y構。類金剛石結構化合物的本征低熱導率和可調控的電學性能使其有望成為優(yōu)異的熱電材料。自2009年，中國科學院上海硅酸鹽研究所熱電研究團隊首次報道四元化合物Cu2CdSnSe4和Cu2ZnSnSe4的熱電性能之后，類金剛石結構化合物獲得了熱電研究領域的廣泛關注。迄今為止，已經有20余種類金剛石結構化合物的熱電性能被報道，其中多種p型材料的熱電優(yōu)值高于1，與傳統(tǒng)熱電材料相媲美。然而，n型類金剛石結構化合物的熱電優(yōu)值普遍偏低，這限制了高效類金剛石結構化合物熱電器件的開發(fā)。

近日，上海硅酸鹽所副研究員仇鵬飛，研究員史迅、陳立東與上海大學教授楊炯等合作，發(fā)現了一種具有本征極低晶格熱導率和電學性能可調控的高性能n型類金剛石結構化合物AgInSe2。在900K時，AgInSe2基化合物的最高熱電優(yōu)值達到1.1，與目前已報道的最好的CuGaTe2、CuInTe2等p型類金剛石結構化合物相當。在此基礎上，研究團隊首次制備了展現出良好應用前景的類金剛石結構化合物熱電元器件。

AgInSe2的禁帶寬度約為1.2eV，以往對AgInSe2的研究主要集中在光電領域的應用。該發(fā)現AgInSe2具有遠低于其它類金剛石結構化合物的晶格熱導率。在室溫下，AgInSe2的晶格熱導率僅為0.99W m-1K-1，與無定形的玻璃相當。第一性原理計算表明，AgInSe2的聲子譜中存在大量的低頻光學支，強烈散射與其頻率接近的晶格聲子，是導致AgInSe2低晶格熱導率的根本原因。進一步研究發(fā)現，這些低頻光學支來自“Ag-Se cluster”的協(xié)同振動。在AgInSe2晶體結構中，Ag和Se以較強的化學鍵相結合，而In和上述兩種原子的化學鍵較弱。因此，Ag和Se可以形成具有較大總體質量的“Ag-Se cluster”，且其所受的束縛力較弱，因而表現出低的聲子振動頻率。另一方面，通過在AgInSe2中引入Se空位或在Ag位引入Cd元素進行摻雜，可以實現材料電導率數量級的提升。初步研究表明，具有少量Se空位的AgInSe2化合物的熱電優(yōu)值在900K達到1.1。

基于高性能n型AgInSe2化合物與該研究團隊前期報道的p型CuInTe2基化合物（J. Mater. Chem. A，2016，4，1277），該研究首次制備了具有2對熱電單偶的類金剛石結構化合物熱電元器件。利用電鍍和釬焊技術，成功在熱電單偶的冷端和熱端分別連接了Ni電極和Mo-Cu電極。初步測試結果表明，在520K溫差下，器件的最高輸出功率為0.06W。如能進一步優(yōu)化器件界面處接觸電阻和接觸熱阻，其性能將獲得進一步提升。

相關研究成果發(fā)表在Advanced Science上。該研究得到了國家自然科學基金，中科院重點部署項目、青年創(chuàng)新促進會，上海優(yōu)秀學科帶頭人計劃等的資助。 （來源：中國科學院上海硅酸鹽研究所）

圖1.（a）n型AgInSe2類金剛石結構化合物熱電優(yōu)值；（b）首個類金剛石結構化合物熱電器件

圖2.（a）n型AgInSe2類金剛石結構化合物聲子譜；（b）晶格熱導率