中國粉體網訊  韓國《朝鮮日報》4月17日報道，三星通過官網新聞中心宣布實現(xiàn)基于EUV光刻的5納米FinFET工藝，并已準備好投入生產。據(jù)悉，三星電子還計劃于本月推出7納米產品，并在今年批量生產6納米產品。

與7納米相比，三星的5納米FinFET工藝使特定面積的晶體管數(shù)量增加了25%，性能提升10%，功耗降低20%。此外，它是三星重復利用7納米相關知識產權的成果，因此大幅減少了時間成本和落地成本。

據(jù)悉，該公司早在2017年就推出了EUV 7納米工藝，并與競爭對手臺積電展開激烈競爭以鎖定客戶。日前，三星已將更多資源投入其邏輯芯片和合約芯片制造業(yè)務，這些業(yè)務一直都落后于其內存半導體業(yè)務。本月早些時候，三星開始大規(guī)模生產5G網絡芯片，以便在下一代無線市場上占據(jù)一席之地。三星電子副會長李在镕此前表示，“到2030年，我們將成為非存儲半導體的佼佼者。（中國粉體網編輯整理/胡一）