中國粉體網(wǎng)訊 在各類人造金剛石技術(shù)中，微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)單晶金剛石生長技術(shù)由于其微波能量無污染、氣體原料純凈等優(yōu)勢而在眾多單晶金剛石制備方法中脫穎而出，成為制備大尺寸、高品質(zhì)單晶金剛石最有發(fā)展前景的技術(shù)之一。
(圖片來源：晶盛機(jī)電公眾號)
據(jù)晶盛機(jī)電消息，近日，晶盛機(jī)電晶體實驗室經(jīng)過半年多的工藝測試，全自動MPCVD法生長金剛石設(shè)備（型號XJL200A）成功生長出高品質(zhì)寶石級的金剛石晶體。此次XJL200A金剛石生長爐成功解決了傳統(tǒng)的MPCVD培育鉆石生長技術(shù)的行業(yè)痛點：對多晶及生長裂紋等缺陷的判斷、對晶體溫度和生長厚度等關(guān)鍵生長參數(shù)的控制都依賴人工判斷，克服了目前人工培育鉆石過程中質(zhì)量控制和規(guī)�；a(chǎn)的瓶頸。
(圖片來源：晶盛機(jī)電公眾號)
該設(shè)備經(jīng)過長晶測試表明，能一次可以實現(xiàn)20顆以上4-5克拉毛坯鉆石的生產(chǎn)能力，設(shè)備穩(wěn)定性好，綜合生長良率高，為大規(guī)模的生產(chǎn)提供了自動化操作的基礎(chǔ)。項目負(fù)責(zé)人表示，目前已經(jīng)完成了設(shè)備定型和批量工藝開發(fā)，設(shè)備即將投放市場，能為客戶提供一站式解決方案。
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的不斷發(fā)展，越來越多的半導(dǎo)體材料被應(yīng)用于電子器件中。普通半導(dǎo)體材料受其性能約束，在高溫條件下的應(yīng)用受到限制。而金剛石半導(dǎo)體器件具有高載流子遷移率、高熱導(dǎo)率和低介電常數(shù)等優(yōu)異的電學(xué)性質(zhì)，能夠在高頻、大功率和高溫高壓等十分惡劣的環(huán)境中運(yùn)行。金剛石通過摻雜可呈現(xiàn)ｎ型導(dǎo)電和ｐ型導(dǎo)電，性能遠(yuǎn)超GaAs，GaN和SiC等材料，是目前最有希望的寬禁帶高溫半導(dǎo)體材料。此外，由于金剛石帶隙很寬，在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，既能作為有源器件材料（如場效應(yīng)管和功率開關(guān)），也能作為無源器件材料（如肖特基二極管等）。隨著金剛石的電學(xué)和熱學(xué)性能的逐步開發(fā)，金剛石會使超大規(guī)模集成電路和超高集成電路的發(fā)展進(jìn)入一個新紀(jì)元。
參考來源：
[1] 晶盛機(jī)電公眾號
[2] 陳亞男等.金剛石半導(dǎo)體材料和器件的研究現(xiàn)狀
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）
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