中國粉體網(wǎng)訊 近日，由中國工程院、國家制造強國建設(shè)戰(zhàn)略咨詢委員會指導(dǎo)，國家產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)專家委員會編制的《產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)創(chuàng)新發(fā)展目錄（2021年版）》（以下簡稱《目錄》）發(fā)布�！赌夸洝丰槍窠�(jīng)濟建設(shè)、國防安全和人民幸福影響大的發(fā)展需求，確定了紡織、新材料、信息通信設(shè)備、基礎(chǔ)軟件及工業(yè)軟件、機床與基礎(chǔ)制造裝備及機器人、環(huán)保低碳及資源綜合利用裝備等21個重點領(lǐng)域。其中，多項陶瓷材料及相關(guān)設(shè)備入選。
陶瓷材料方面
在材料方面，碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體襯底、外延等產(chǎn)品技術(shù)入選。而較少提及的氮化鋁單晶襯底材料也位列其中，據(jù)了解，氮化鋁（AlN）是極具應(yīng)用潛力的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有很多優(yōu)良的性質(zhì)。其禁帶寬度高達6.2eV，具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高化學(xué)和熱穩(wěn)定性，以及高導(dǎo)熱、抗輻射等優(yōu)異性能。是紫外/深紫外LED、紫外LD最佳襯底材料，也是高功率、高頻電子器件理想襯底材料。我國對AlN晶體生長技術(shù)的研究起步較晚，在此之前，美國在全球AlN單晶及晶圓制造方面，可達的最大直徑為2英寸（50.8mm），長期處于技術(shù)壟斷地位。
陶瓷電容器作為細(xì)分條目被兩次提及，分別是“小型化高電容MLCC”和“高容量片式陶瓷電容器”。片式陶瓷電容器，即MLCC，是一種新型、微型化、片式化的高精度電容器，是片式阻容感元件中用量最大、發(fā)展最快的核心元件，約占整個電容器市場份額的一半，是構(gòu)建新一代信息、通信、電子、終端產(chǎn)品的基礎(chǔ)材料。隨著5G手機滲透、電動車放量、5G基站建設(shè)的推進，MLCC需求極速增長。目前我國大陸廠商處在行業(yè)競爭第三梯隊的位置，尤其是在高階MLCC 方面，因為技術(shù)要求更高，目前技術(shù)、產(chǎn)能主要集中在日廠手中。
此外，近年來研究及應(yīng)用熱度較高的陶瓷涂層、壓電陶瓷、蜂窩陶瓷、微波介質(zhì)陶瓷、高導(dǎo)熱陶瓷基板等均有相關(guān)材料入選其中。
工藝與設(shè)備方面
在制造工藝與設(shè)備方面，一批入選裝備需要配備大量先進陶瓷材料。例如，在光刻機中，碳化硅陶瓷已被用于工件臺、導(dǎo)軌、反射鏡、吸盤、手臂等；在刻蝕裝備中，碳化硅、氮化鋁、氧化鋁、氮化硅、氧化釔等陶瓷材料已被重點用于窗視鏡，氣體分散盤，噴嘴，絕緣環(huán)，蓋板，聚焦環(huán)和靜電吸盤等。
參考來源：《產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)創(chuàng)新發(fā)展目錄（2021年版）》、中國粉體網(wǎng)
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）
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