由江蘇工業(yè)學院和江蘇省陶瓷研究所有限公司共同承擔的江蘇省高新技術項目“納米二氧化鈰拋光介質(zhì)的制備研究”，上周通過了江蘇省教育廳主持的成果鑒定。鑒定專家認為，該技術為國內(nèi)首創(chuàng)。
                
    該項目由江蘇工業(yè)學院陳志剛院長主持。他們采用六亞甲基四胺（HMT）為沉淀劑的均相沉癥法制備出了粒徑為10～20nm的球形CeO2拋光介質(zhì)，粉體顆粒尺寸均勻；采用尿素為沉淀劑的均相沉淀法制備出了100～300nm單分散球形CeO2，尺寸均一、可控。項目研究了醇水反應體系下超聲輻射以及微波輻射等對CeO2粉體形核生長的影響規(guī)律，實現(xiàn)了粉體尺寸和形貌形成的可控性，具有創(chuàng)新性。
                
    據(jù)悉，研究人員采用所研制的CeO2拋光介質(zhì)對硅晶片和砷化鎵晶片拋光，表面粗糙度分別為Ra≤0.089nm各Ra≤0.740nm，滿足了超光滑加工的要求，在滿足超光滑拋光的同時可提高拋光效率。應用試驗結果表明，該技術能明顯降低硅晶片表面粗糙度，為集成電路基片超光滑加工提供了關鍵技術。（葛金華 儲富強）