中國粉體網(wǎng)訊  功率器件是電力電子技術(shù)的核心，在電力電子技術(shù)朝著高頻、高功率密度發(fā)展的方向上扮演著至關(guān)重要的角色。

目前，國內(nèi)外大多數(shù)電力電子功率器件都采用硅基半導(dǎo)體材料。經(jīng)過幾十年的不斷改良和優(yōu)化，硅基半導(dǎo)體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時(shí)限制體積、發(fā)熱和成本的快速膨脹成為了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)重點(diǎn)關(guān)注的問題。以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料功率器件在各項(xiàng)性能指標(biāo)上較現(xiàn)有硅基功率器件有飛躍性的提升，正在引領(lǐng)電力電子領(lǐng)域的一次技術(shù)革命。

近年來，以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。碳化硅材料具有3倍于硅材料的禁帶寬度，10倍于硅材料的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，3倍于硅材料的熱導(dǎo)率。因此碳化硅功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應(yīng)用場(chǎng)合，且有助于電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度的提升，憑借其卓越性能而被不斷應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。。

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（中國粉體網(wǎng)編輯整理/長安）

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