中國粉體網(wǎng)訊 隨著半導體技術的飛速發(fā)展，材料創(chuàng)新成為突破性能瓶頸的關鍵。金剛石憑借其卓越的硬度、導熱性及潛在的半導體特性，在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的多個環(huán)節(jié)中已展現(xiàn)出巨大的發(fā)展?jié)摿蛻脙r值。其中，金剛石微粉作為磨拋料，以其超精密加工能力，顯著提升了半導體晶片的表面質(zhì)量和生產(chǎn)效率，成為半導體制造不可或缺的一環(huán)。
從2024半導體行業(yè)用金剛石材料技術大會組委會獲悉，本屆會議將于2024年12月24日在鄭州舉辦。北京中科美安科技有限公司作為參展單位邀請您共同出席。
北京中科美安科技有限公司
公司以⼤連化學物理研究所為技術依托，研發(fā)系列⾦屬鈀復合膜超純氫⽓純化器，⽤于制取超⾼純氫⽓。
實現(xiàn)6N ~ 9N ~ 12N超⾼純度，滿⾜半導體、多晶硅、⼈造鉆⽯加⼯、航天、軍⼯、⽯油化⼯等領域?qū)Τ?#12220;純氫⽓的需求。
20年深度積累核⼼技術
來自中科院⼤連化物所，20年研發(fā)積累，獨家超薄⾦屬鈀復合膜技術，⾼質(zhì)量實現(xiàn)氫提純能⼒。獲得國家發(fā)明專利兩項。全國第⼀，全球TOP3。
相⽐PSA，化學吸附技術，鈀膜是實現(xiàn)氫⽓超⾼純化的最佳⽅案。
⾦屬鈀能以溶解-擴散的⽅式選擇性透過氫⽓，簡單來講，只有氫⽓能透過鈀膜，其他⽓體都透不過去，因此分離氫⽓的純度能達到8個9以上。上世紀70年代就已經(jīng)被⽤于為半導體⾏業(yè)提供超純氫。但⽬前國內(nèi)市場上主要是進⼝的鈀管產(chǎn)品，厚度⾄少在15微⽶以上，價格昂貴，⽽且其透氫量很低，裝置投資和分離能耗很⾼，制氫成本和制氫規(guī)模⽆法滿⾜未來規(guī)�；瘧�⽤的需求。將⾦屬鈀膜負載在多孔⽀撐體的表⾯，可以制備⾦屬鈀復合膜，厚度可以降低到5微⽶左右，制備廉價的⾦屬鈀復合膜，同傳統(tǒng)鈀管相⽐，其貴⾦屬⽤量降低10倍，并且可以獲得更⼤的透氫量，使裝置投資和純化成本⼤幅度降低，具有明顯的技術經(jīng)濟優(yōu)勢。
量產(chǎn)能⼒
突破超薄不銹鋼鈀膜制備瓶頸，達到DOE2015指標國際上率先攻克制備難題并批量⽣產(chǎn)，成品率>90%；
多孔不銹鋼底膜制備突破國外壟斷，成本下降90%；
綜合成本相較國際解決⽅案降低95%。
已交付使⽤
• 北京冬奧會液態(tài)陽光加氫站（李燦院⼠項⽬）50kg/天；
• H公司產(chǎn)線60臺應⽤，7N ~ 10N 純度；
• 某⼈造鉆⽯企業(yè)，40臺應⽤，7N ~ 10N 純度；
• 四川某多晶硅產(chǎn)線應⽤，7N純度，200Nm³/h流速
產(chǎn)品型號列表
適配于⼩流量場景下的鈀膜氫⽓純化解決⽅案。
同時還具備超⼤流量和12N級氫純化⽅案：
最⾼純度可達12N；
最⾼流量可達800Nm³
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會務組
聯(lián)系人：劉文寶
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