中國粉體網訊  在半導體材料革命的浪潮中，碳化硅（SiC）以其耐高壓、高頻、高溫的卓越性能，正加速滲透各個領域。近年來，我國積極發(fā)展碳化硅產業(yè)，在8英寸、12英寸取得了喜人成績，在國際市場備受認可。

首次中國企業(yè)獲獎！天岳先進獲半導體行業(yè)國際大獎

近日，第31屆半導體年度獎（Semiconductor of the Year 2025）頒獎典禮在日本東京隆重舉行。中國半導體材料領域的領軍企業(yè)天岳先進憑借其在碳化硅襯底材料技術上取得的革命性突破，力壓日本頂尖半導體材料巨頭三井化學和三菱材料等強勁對手，榮獲由日本權威半導體媒體《電子器件產業(yè)新聞》頒發(fā)的“半導體電子材料”類金獎。

據(jù)了解，這不僅是中國企業(yè)在該獎項設立31年以來的首次問鼎，更是該獎項歷史上首次將最高榮譽授予碳化硅襯底材料技術。

半導體年度獎由日本最具公信力的半導體產業(yè)專業(yè)媒體《電子器件產業(yè)新聞》主辦，旨在從全球范圍內表彰在設備、器件及材料三大領域的杰出技術創(chuàng)新，其獎項以嚴苛的評選標準和極高的行業(yè)權威性著稱。在歷屆獲獎企業(yè)名單中，英偉達、索尼、美光等國際產業(yè)巨頭，以及東芝、住友電工、昭和電工等日企，是這份“黃金榜單”中的常客。

天岳先進此次歷史性獲獎的核心驅動力，源于其長期聚焦于碳化硅襯底材料技術，并在此領域實現(xiàn)了持續(xù)的創(chuàng)新突破。天岳先進長期深耕襯底材料研發(fā)，其在材料晶體生長、缺陷控制、加工工藝等核心環(huán)節(jié)取得的一系列突破性進展，不僅攻克了大尺寸化等世界級難題，更在材料性能上達到了國際領先水平，成為全球半導體材料領域的創(chuàng)新標桿。

超芯星的碳化硅長晶技術獲國際金獎！

近日，在第50屆日內瓦國際發(fā)明展上，江蘇超芯星半導體有限公司（簡稱：超芯星）憑借自主研發(fā)的碳化硅長晶技術斬獲金獎！

超芯星是國內領先的第三代半導體碳化硅材料全產業(yè)鏈企業(yè)，專注于碳化硅（SiC）襯底全產業(yè)鏈研發(fā)與生產。自公司落地南京后，超芯星研發(fā)團隊不斷攻克難關，先后突破了低應力、低缺陷晶體生長及低損耗晶片加工技術等多項關鍵技術難點，形成了一整套具有自主知識產權的工藝，覆蓋設備、粉料、晶體生長晶體加工及晶片檢測全流程。

目前，碳化硅長晶技術主要有液相法、物理氣相法（PVT）和高溫化學氣相沉積法（HTCVD）三類，每種方法都有其獨特的工藝步驟、優(yōu)點和挑戰(zhàn)。其中HTCVD法具備連續(xù)性供料的先進特性，能夠確保生產過程的穩(wěn)定與高效；所產出晶體的純度極高，極大地提升了碳化硅材料的性能與質量；同時，其生長速度之快也為大規(guī)模產業(yè)化應用鋪就了堅實道路。

而據(jù)超芯星半導體創(chuàng)始人、CEO劉欣宇介紹，如今超芯星已經成為全世界‘唯三’、全國唯一掌握HTCVD創(chuàng)新技術的創(chuàng)業(yè)公司，也是國際少數(shù)幾家能夠批量供應碳化硅襯底片的企業(yè)之一。

來源：天岳先進、南京日報

（中國粉體網編輯整理/空青）

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