隨著科學技術的飛速發(fā)展，半導體材料的革新速度也進一步加快。當前，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，在新能源汽車、光伏、儲能等新興領域正快速滲透，已成為全球半導體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點。同時，我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，碳化硅半導體將在我國5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領域發(fā)揮重要作用。

近年來，我國在SiC材料領域取得了顯著進展，但與國際先進水平相比，在晶體生長技術、晶圓加工技術等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長過程中面臨著晶體缺陷控制、生長速率提升、晶體質量穩(wěn)定性等難題；晶圓加工方面，則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰(zhàn)。在當前倡導節(jié)能減排的大趨勢下，快速穩(wěn)定地突破碳化硅單晶尺寸和質量等關鍵問題，才能夠更好地占據(jù)未來碳化硅市場。

在此背景下，中國粉體網(wǎng)將于2025年8月21日在江蘇·蘇州舉辦第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會，大會將匯聚國內行業(yè)專家、學者、技術人員、企業(yè)界代表圍繞晶體生長工藝、關鍵原材料、生長設備及應用、碳化硅晶片切、磨、拋技術等方面展開演講交流。杭州晶馳機電有限公司作為參展單位邀請您共同出席。

杭州晶馳機電有限公司成立于2021年7月，公司總部與研發(fā)中心位于杭州市蕭山區(qū)浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心，辦公面積約1000 ㎡。

公司致力于精密焊接技術的研究，金屬管件和真空腔體的開發(fā)與生產(chǎn)。主要為國內外半導體設備——PVD、CVD、PECVD、MOCVD、刻蝕機、離子注入機等提供專用高端精密零部件，是國內外半導體設備廠的重要供應商。同時產(chǎn)品廣泛應用于大科學裝置、太陽能光伏、LED、制藥設備和特種真空設備等一系列高端產(chǎn)業(yè)。產(chǎn)品技術達到國際先進水平，處于同行業(yè)發(fā)展前列。

目前公司產(chǎn)品包括6英寸水平進氣和8英寸垂直進氣碳化硅外延設備（LPCVD法），金剛石晶體生長設備（MPCVD法），氮化鋁晶體生長設備，碳化硅源粉合成爐，碳化硅晶體生長設備（PVT法），氧化鎵單晶生長爐（導模法、CZ法），各種晶體和晶片熱處理爐。  

公司擁有一支由國內知名專家教授領銜的技術研發(fā)及顧問團隊，具有國內一流的自主研發(fā)創(chuàng)新能力，技術研發(fā)水平處于國內領先地位。公司牢固樹立人力資源為第一資源的理念，秉承“尊重人才價值、塑造人才品質、致力人才成長”的宗旨，以人為本、同心同向，實現(xiàn)公司與員工的共同發(fā)展。

產(chǎn)品介紹

1、小圓柱式微波等離子體沉積（CVD）系統(tǒng)

該設備為微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)（MWCVD）。采用2.45GHz頻率微波源，電場激發(fā)諧振腔模式為TM013模式，激發(fā)穩(wěn)定的等離子體。該系統(tǒng)可以穩(wěn)定生長金剛石單晶材料、多晶晶圓。通過工藝調節(jié),可以穩(wěn)定生長出 2 英寸金剛石晶圓。

主要應用領域：半導體襯底、熱沉片、珠寶、刀具、機械密封、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、消費類電子等。

2、單腔立式外延爐

相較現(xiàn)有立式外延爐有更低的硬件成本,更小的占地面積;

兼容4/6/8寸晶圓外延生長,成膜質量好,可實現(xiàn)厚外延層快速生長；

更長的維護周期,更低的耗材成本；

會務組

聯(lián)系人：段經(jīng)理

電話：13810445572

郵箱：duanwanwan@cnpowder.com

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