中國粉體網(wǎng)訊 為更好地引導和推動重點新材料的產(chǎn)業(yè)化和規(guī)�；瘧茫�，浙江省經(jīng)濟和信息化廳正式發(fā)布《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2025年版）》。該目錄中，三項氧化鋁陶瓷材料成功入選。
（1）半導體刻蝕設備用大尺寸氧化鋁陶瓷
性能要求：純度＞99.5%，抗折強度＞350MPa，維氏硬度＞16GPa，介電強度>15KV/mm。
應用領域：電子、半導體制造。
（2）大尺寸半導體級氧化鋁精密陶瓷
性能要求：純度≥99.9%，體積電阻率≥1×1014Ω·cm（20℃），熱傳導率≥32W/m·K，單片燒結成型尺寸≥2000mm×500mm×50mm，單片燒結成型尺寸公差±0.01mm，抗彎強度≥400MPa。
應用領域：半導體封裝、半導體制造設備、微電子與光電子。
（3）UV-LED 4寸納米級圖形化藍寶石襯底
性能要求：4寸藍寶石襯底，周期 900nm，孔徑 500nm，孔深 300nm。
應用領域：UV-LED。
半導體設備是半導體產(chǎn)業(yè)的基礎支撐，半導體設備由腔室內和腔室外組成，在技術要求更加嚴苛的腔室內，往往只有先進陶瓷材料才能勝任，嚴苛的工作環(huán)境對先進陶瓷材料性能、硬脆難加工材料精密加工及新品表面處理等方面也要求甚高。
其中，氧化鋁陶瓷部件具有高硬度、高機械強度、超耐磨性、耐高溫、電阻率大、電絕緣性能好等優(yōu)異性能，能滿足真空、高溫等特殊環(huán)境下的半導體制造復雜性能要求，在半導體制造生產(chǎn)線上有著不可替代的重要作用，其應用幾乎覆蓋所有半導體制造設備，是半導體生產(chǎn)設備的關鍵部件。
例如《目錄》中所提半導體刻蝕設備，在刻蝕過程中，鹵素氣體（如CF4、CHF3等）與惰性氣體（如Ar、Xe等）通過電離生成的高能等離子體被用于晶片表面的刻蝕。這一過程當中，不僅晶片材料會受到刻蝕，刻蝕設備的內壁和關鍵部件（如噴淋頭、聚焦環(huán)和基座）也會遭到刻蝕。但這些零部件的刻蝕一方面會使得半導體器件污染，良品率下降以及設備壽命縮短，另一方面這也會使得刻蝕腔內壁暴露在等離子環(huán)境中產(chǎn)生大量懸浮顆粒污染物，這些污染物可能沉積在晶片表面，導致芯片短路等質量問題。在此背景下，如何有效防止設備內壁刻蝕并消除由此產(chǎn)生的顆粒污染，已成為半導體行業(yè)需要解決的難題，耐高密度等離子體刻蝕材料的研發(fā)變得尤為緊迫。
作為典型的陶瓷材料，Al2O3具有高介電強度和優(yōu)異的耐化學腐蝕性能，在高能等離子體刻蝕環(huán)境中仍能保持相對穩(wěn)定，是較為常用的耐等離子體刻蝕材料之一。
《目錄》中所列“UV-LED 4寸納米級圖形化藍寶石襯底”也是一種氧化鋁材料，即α-Al2O3單晶，具有優(yōu)異的光學性能、機械性能和化學穩(wěn)定性，具有強度高、硬度大、耐沖刷等特點，可在接近2000℃高溫的惡劣條件下工作，是LED襯底最常用的材料。
（中國粉體網(wǎng)/山川）
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