中國粉體網(wǎng)訊  日前，浙江省經(jīng)濟(jì)和信息化廳正式發(fā)布《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2025年版）》（公示稿）。

該目錄中有陶瓷基板、半導(dǎo)體陶瓷部件、特種陶瓷高端應(yīng)用、先進(jìn)陶瓷輔料等多項先進(jìn)陶瓷材料入列，明確關(guān)鍵性能指標(biāo)，劃定核心應(yīng)用領(lǐng)域。

半導(dǎo)體陶瓷零部件：大尺寸、高強(qiáng)度

1）半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備用大尺寸氧化鋁陶瓷

性能要求：純度＞99.5%，抗折強(qiáng)度＞350MPa，維氏硬度＞16GPa，介電強(qiáng)度>15KV/mm。

應(yīng)用領(lǐng)域：電子、半導(dǎo)體制造。

2）大尺寸半導(dǎo)體級氧化鋁精密陶瓷

性能要求：純度≥99.9 %，體積電阻率≥1×10¹⁴Ω·cm（20℃），熱傳導(dǎo)率≥32W/m·K，單片燒結(jié)成型尺寸≥2000mm×500mm×50mm，單片燒結(jié)成型尺寸公差±0.01mm，抗彎強(qiáng)度≥400MPa。

應(yīng)用領(lǐng)域：半導(dǎo)體封裝、半導(dǎo)體制造設(shè)備、微電子與光電子。

3）CVD碳化硅陶瓷材料

性能要求：密度≥3.18g/cm³，電阻率≤1ohm-cm，總雜質(zhì)＜2ppm，熱導(dǎo)率≥260W/m·K，彎曲強(qiáng)度≥590MPa。

應(yīng)用領(lǐng)域：半導(dǎo)體制造、新能源、電力電子、航空航天。

功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域：高導(dǎo)熱

1）高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基片

性能要求：熱導(dǎo)率90W/m·K，室溫電阻率10¹⁴-10¹⁵Ω·cm，樣品尺寸190mm*138mm*（0.25-0.32）mm，表面粗糙度≤0.2μm，表面翹曲度<0.1%，抗彎強(qiáng)度≥700MPa，介電強(qiáng)度≥15kV/mm。

應(yīng)用領(lǐng)域：功率器件。

2）高可靠性封裝陶瓷

性能要求：陶瓷抗彎強(qiáng)度≥400MPa，金屬漿與陶瓷結(jié)合力≥100N/mm²，內(nèi)部線路精度≤0.1mm。

應(yīng)用領(lǐng)域：半導(dǎo)體封裝。

3）高精度氮化鋁芯片封裝件

性能要求：氮化鋁陶瓷純度＞99.8%，密度>3.2g/cm³，熱導(dǎo)率≥180W/m·K，抗彎強(qiáng)度≥365MPa，電阻率≥1014Ω·cm，硬度≥1005HV5。

應(yīng)用領(lǐng)域：半導(dǎo)體封裝。

4）第三代功率半導(dǎo)體封裝用AMB陶瓷覆銅基板

性能要求：空洞率≤0.1%（C-SAM，分辨率50μm），剝離強(qiáng)度≥15N/mm，冷熱沖擊壽命≥5000cycle，可焊性≥95%，剪切力≥1200gf。

應(yīng)用領(lǐng)域：新能源車、軌道交通、智能電網(wǎng)、電子電控、航天電子。

高技術(shù)陶瓷：應(yīng)用領(lǐng)域多元化

1）TiCN基金屬陶瓷高端數(shù)控刀片

性能要求：維氏硬度HV30≥1700kg/mm²，抗彎強(qiáng)度≥1800MPa，斷裂韌性≥11MPa·m^1/2。

應(yīng)用領(lǐng)域：零件加工。

2）高密度、高抗熱震性能冶金滑板用氧化鋯陶瓷

性能要求：體積密度為5.25~5.40g/cm³，耐壓強(qiáng)度為 300~450MPa，單斜相為65~75vol%，穩(wěn)定相為25~35vol%。

應(yīng)用領(lǐng)域：鋼鐵冶金。

3）陶瓷化防火隔熱材料

性能要求：材料在1500℃氧乙炔火焰沖擊下，30min不燒穿不開裂，阻燃等級達(dá)到UL94-V0、HB，抗拉強(qiáng)度≥20MPa，導(dǎo)熱系數(shù)＜0.03W/mk，溫度范圍-80-1800℃。

應(yīng)用領(lǐng)域：新能源汽車電池包。

4）大直徑高強(qiáng)度碳化硅陶瓷密封環(huán)

性能要求：密度≥3.10g/cm³，彈性模量≥400GPa，三點(diǎn)抗彎強(qiáng)度≥400MPa，硬度HRA≥92，抗壓強(qiáng)度≥2000MPa。

應(yīng)用領(lǐng)域：機(jī)械、石油、化工、汽車、核電、船舶、軍工裝備、航空航天。

5）高性能陶瓷膜

性能要求：孔徑5~200µm，氣孔率≥40%，抗折強(qiáng)度≥50MPa，耐酸堿性≥99.5%，最大工作壓力≥20MPa，最高工作溫度1000℃，過濾精度40nm，純水通量（20℃）1500L/（m²·h·bar）。

應(yīng)用領(lǐng)域：水處理。

6）超高溫陶瓷基復(fù)合材料

性能要求：1600℃拉伸強(qiáng)度≥100MPa，耐溫性能≥1800℃，滿足2MW/m²以上熱流環(huán)境下1500s零燒蝕或微燒蝕的要求，密度2.1~2.4g/cm³。

應(yīng)用領(lǐng)域：航空航天。

7）高模量C/SiC陶瓷基復(fù)合材料

性能要求：比模量（面內(nèi)xy，RT）≥65GPa/（g·cm^-3），熱膨脹系數(shù)（面內(nèi)xy，10~30℃）1.0×10^-6/K，熱導(dǎo)率（面內(nèi)xy，10~30℃）≥20W/mK，拉伸強(qiáng)度（面內(nèi)xy，RT）≥200MPa，彎曲強(qiáng)度（面內(nèi)xy，RT）≥350MPa，壓縮強(qiáng)度（面內(nèi)xy，RT）≥300MPa，剪切強(qiáng)度（面內(nèi)xy，RT）≥80MPa。

應(yīng)用領(lǐng)域：航空航天、國防裝備、深空探測、精密制造。

8）等離子體噴涂陶瓷靶材

性能要求：純度≥99.7%，成分ZnO:SnO2=52±2:48±2（wt%），密度≥5.4g/cm³，電阻率≤0.5Ω·cm。

應(yīng)用領(lǐng)域：太陽能電池、汽車鍍膜、Low-E 玻璃、電子顯示、光學(xué)鍍膜。

9）5G通訊用微晶玻璃

性能要求：斷裂韌性1.38MPa·m^1/2，介電損耗0.006（2.46GHz），跌落高度≥2000mm（t=0.68mm，負(fù)重50g），維氏硬度≥8.6GPa，介電損耗0.006（2.46GHz）。雙85測試（溫度85℃、相對濕度85%、測試時間1000h）：老化后抗沖擊/抗彎強(qiáng)度衰減≤1%，疏油層完整性、摩擦系數(shù)變化≤1%，透光率衰減≤0.5%，抗彎強(qiáng)度衰減≤1%，透光率衰減≤0.5%。

應(yīng)用領(lǐng)域：顯示蓋板。

10）超高精密納米氧化鋯

性能要求：表面硬度>1200H，密度>6g/cm³，晶粒尺寸≤500nm，吸水率≤0.01%，燒濕比0.5~1.5 wt%（1000℃，2h）。

應(yīng)用領(lǐng)域：光纖通信、量子通信、醫(yī)療檢測。

先進(jìn)陶瓷用輔料

1）MLCC內(nèi)電極用200nm及以下高端成品鎳粉

性能要求：粒徑150-200nm，比表面積5-6.1m²/g，主要雜質(zhì)含量：Fe＜100ppm，Ca＜100ppm，Zr＜100ppm，Al＜100ppm，Mg＜100ppm，Si＜100ppm。

應(yīng)用領(lǐng)域：新能源汽車、消費(fèi)電子、通訊及工業(yè)電子行業(yè)。

2）第三代半導(dǎo)體用AgCuTi 活性釬料

性能要求：Ti含量2±0.2%，熔化溫度780-800℃，氧含量≤300ppm，粒度分布D90≤35μm，釬料粘度170±5Pa•s，氮化硅陶瓷覆銅基板剝離強(qiáng)度≥10N/mm。

應(yīng)用領(lǐng)域：第三代半導(dǎo)體封裝。

來源：浙江省經(jīng)濟(jì)和信息化廳官網(wǎng)

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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