中國粉體網(wǎng)訊  2025年8月21日，由中國粉體網(wǎng)主辦的“第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會”在蘇州·白金漢爵大酒店成功召開！大會期間，中國粉體網(wǎng)邀請到多位業(yè)內(nèi)專家學者做客“對話”欄目暢談碳化硅半導體前沿技術、裝備與產(chǎn)業(yè)化進展，共同展望了這一戰(zhàn)略性材料的無限潛能。本期是對常州臻晶半導體有限公司銷售總監(jiān)蔣志強的專訪。

中國粉體網(wǎng)：蔣總，請您介紹一下常州臻晶半導體有限公司。

蔣總：我們常州臻晶半導體有限公司是在2020年成立的，是國內(nèi)最早的專注于液相法產(chǎn)業(yè)化的公司。我們現(xiàn)在主要的研究方向就是碳化硅晶體的液相法生長技術，以及相關的設備研發(fā)、生產(chǎn)和制造。

中國粉體網(wǎng)：請問蔣總，傳統(tǒng)的物理氣相傳輸法生長碳化硅單晶有哪些局限性？

蔣總：我是這樣認為的，首先我們不能說它有很強的局限性，因為經(jīng)過這么多年的發(fā)展，氣相法其實已經(jīng)非常成熟了。只能說它現(xiàn)在的發(fā)展狀況沒有辦法去應對當前碳化硅市場極度內(nèi)卷的局面。所以我們現(xiàn)在就需要去實現(xiàn)一些新的突破，比如說長晶厚度的提高，晶體良率的提升等。

中國粉體網(wǎng)：相比PVT法，液相法生長碳化硅單晶的優(yōu)勢體現(xiàn)在哪些方面？

蔣總：應該說液相法是在現(xiàn)在市場極度內(nèi)卷下催生出來的一個技術需求。在優(yōu)勢方面，首先我們可以實現(xiàn)長晶厚度的突破，比如說現(xiàn)在PVT法晶體應該是在2厘米左右，目前我們在研發(fā)階段已經(jīng)突破了這個厚度，而且我們未來的預期它可以更厚，比如達到6厘米。第二就是在工藝足夠成熟的前提下，我們的生產(chǎn)成本會低很多，在原材料、熱場等各方面的成本都會降低很多，還有就是我們在降低缺陷密度方面也有較大的優(yōu)勢。

中國粉體網(wǎng)：當前液相法面臨的技術挑戰(zhàn)有哪些？

蔣總：比如說助溶劑的包裹問題，還有金屬沾污問題，再有就是我們怎么去實現(xiàn)厚度的突破、如何降低缺陷密度以及金屬殘留和摻雜的均勻性等問題。

中國粉體網(wǎng)：臻晶半導體在液相法生長碳化硅單晶方面進展如何，取得了哪些成果？

蔣總：我們從開始研發(fā)到現(xiàn)在已歷經(jīng)多年，現(xiàn)在也取得了一些還算可觀的成果，在國內(nèi)我們的成果也算是比較領先的。

首先就是我們的長晶，現(xiàn)在我們可以對外提供一個5毫米的長晶工藝包的出售。當前國內(nèi)愿意這樣做或者說能夠這樣做的企業(yè)還是比較少的。第二就是我們自己本身可以達到比這個工藝包更好的一個程度，比如說2厘米以上長晶厚度。而且從檢測結果來說，我們的缺陷密度也是可以降得很低的。還有就是我們現(xiàn)在基本上已經(jīng)實現(xiàn)了單晶爐、熱場、助溶劑等整個體系固定。未來我們更多地就是去把這個工藝再進一步優(yōu)化。

（中國粉體網(wǎng)/山川）

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