
蘇州碳豐石墨烯科技有限公司

已認(rèn)證
99.999% 表征方法:EDS,SEM,Raman 晶體生長(zhǎng)方式:CVD化學(xué)氣相傳輸法 ">
蘇州碳豐石墨烯科技有限公司
已認(rèn)證
品名:TaNiS5 晶體
制造方法:
化學(xué)氣相沉積法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
晶體大小 | 3-10nm |
晶體種類 | Magnetic semiconductor |
純度 | >99.999% |
表征方法 | EDS,SEM,Raman |
晶體生長(zhǎng)方式 | CVD化學(xué)氣相傳輸法 |
應(yīng)用領(lǐng)域:
光電器件,微電子器件,生物傳感,化學(xué)傳感等領(lǐng)域。
參考文獻(xiàn)
1, Sunshine, Steven A., and James A. Ibers. "Structure and physical properties of the new layered ternary chalcogenides tantalum nickel sulfide (Ta2NiS5) and tantalum nickel selenide (Ta2NiSe5)." Inorganic Chemistry 24.22 (1985): 3611-3614.
2,Di Salvo, F. J., et al. "Physical and structural properties of the new layered compounds Ta2NiS5 and Ta2NiSe5." Journal of the Less Common Metals 116.1 (1986): 51-61.
3, Larkin, T. I., et al. "Infrared phonon spectra of quasi-one-dimensional Ta 2 NiSe 5 and Ta 2 NiS 5." Physical Review B 98.12 (2018): 125113.
4, Yan, Bingzheng, et al. "Ternary chalcogenide Ta 2 NiS 5 as a saturable absorber for a 1.9 μm passively Q-switched bulk laser." Optics letters44.2 (2019): 451-454.
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李洪鋒注冊(cè)地址
蘇州市吳中區(qū)越溪街道吳中大道2888號(hào)6幢101成立日期
2016年05月10日注冊(cè)資本
1000萬(wàn)元整有效期限
2016年05月10日至********經(jīng)營(yíng)范圍
研發(fā)、銷售:石墨烯材料、納米材料、新型碳材料、電子元器件、電子產(chǎn)品;新型納米材料的技術(shù)開(kāi)發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)服務(wù);白營(yíng)和代理各類商品及技 術(shù)的進(jìn)出口業(yè)務(wù)。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,經(jīng)相關(guān)部門 批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng))
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