
深圳市中毅科技有限公司

已認(rèn)證
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突破介質(zhì)漿料分散瓶頸!中毅三輥機(jī)助力介質(zhì)漿料實(shí)現(xiàn)12μm超細(xì)分散
中毅 2025/06/21 | 閱讀:27
方案詳情:
在電子元器件制造領(lǐng)域,介質(zhì)漿料的分散細(xì)度直接決定產(chǎn)品性能。隨著5G通信設(shè)備對(duì)高頻介質(zhì)基板的需求激增,很多企業(yè)在開(kāi)發(fā)新型高頻介質(zhì)漿料時(shí)遭遇技術(shù)瓶頸。傳統(tǒng)分散設(shè)備始終無(wú)法將漿料細(xì)度控制在15μm以下,嚴(yán)重影響產(chǎn)品的介電損耗和信號(hào)傳輸穩(wěn)定性。本文將揭秘中毅三輥機(jī)如何通過(guò)創(chuàng)新技術(shù)攻克這一行業(yè)難題。
① 高頻介電損耗(細(xì)度每降低5μm,損耗值可優(yōu)化15%) ② 流延成型均勻性 ③ 燒結(jié)致密化程度 傳統(tǒng)設(shè)備因剪切力不足、溫升過(guò)高等問(wèn)題,在50μm初始細(xì)度的基礎(chǔ)上始終無(wú)法突破15μm技術(shù)紅線。 山東某高端電子材料企業(yè)在研發(fā)高性能介質(zhì)漿料過(guò)程中,面臨關(guān)鍵性技術(shù)挑戰(zhàn)——需將漿料粒徑嚴(yán)格控制在15μm以下技術(shù)指標(biāo)。傳統(tǒng)分散設(shè)備因剪切力不足和溫控精度有限,多次工藝驗(yàn)證均未能突破這一技術(shù)瓶頸。 針對(duì)這一難題,我們使用ZYTR-80E Plus 三輥研磨機(jī)來(lái)分散介質(zhì)漿料。該設(shè)備通過(guò)三組高精度氧化鋯輥筒的轉(zhuǎn)速差(1:3:9)和微米級(jí)間隙控制(精度:1μm),產(chǎn)生可控的層流剪切場(chǎng),實(shí)現(xiàn)團(tuán)聚體的精準(zhǔn)解聚和單分散體系的構(gòu)建,完美保持材料的本征形貌特性。 介質(zhì)漿料的分散方案 客戶名稱:山東某電子公司 實(shí)驗(yàn)材料:介質(zhì)漿料 實(shí)驗(yàn)設(shè)備:ZYTR-80E Plus 三輥機(jī)+刮板細(xì)度計(jì) 實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/span>通過(guò)三輥機(jī)研磨使材料分散的更加均勻并將細(xì)度降至15μm以下 實(shí)驗(yàn)步驟 1、初始檢測(cè) 取少量材料使用刮板細(xì)度計(jì)進(jìn)行初始細(xì)度檢測(cè),刮板細(xì)度計(jì)顯示50μm以下,如下圖所示: 2、三級(jí)分散工藝 使用ZYTR-80E Plus 三輥機(jī)通過(guò)三級(jí)分散工藝進(jìn)行漿料的分散和均質(zhì),確保粒徑穩(wěn)定控制在 15μm 以下,并顯著提升漿料的光澤度與流變性能。 ① 粗輥階段:輥距50-25μm ② 二次精磨:輥距30-15μm ③ 終極均質(zhì):輥距10-5μm 三輥機(jī)運(yùn)行過(guò)程中出料均勻無(wú)漏料,如下圖所示: 介質(zhì)漿料研磨前后效果 3、出料檢測(cè) 取少量研磨后的材料再使用刮板細(xì)度計(jì)進(jìn)行檢測(cè),刮板細(xì)度12μm,如下圖所示: 4、結(jié)果分析 使用中毅科技的ZYTR-80E Plus 三輥機(jī),對(duì)比刮板細(xì)度計(jì)結(jié)果可以看出: 1、細(xì)度突破:從初始50μm降至12μm,降幅達(dá)76%。 2、工藝優(yōu)勢(shì): ① 間隙直觀可量化,便于后續(xù)工藝直接轉(zhuǎn)量產(chǎn),徹底解決傳統(tǒng)工藝"小試可行,放大失效"的行業(yè)痛點(diǎn)。 ② 良品率大大提升。 目前,該技術(shù)突破已成功應(yīng)用于: ① 5G基站介質(zhì)濾波器漿料(介電常數(shù)一致性提升至±0.15) ② 毫米波雷達(dá)基板材料(介電損耗降至0.0008@28GHz) ③ 高密度集成電路封裝介質(zhì)(線寬精度突破10μm級(jí)) 中毅的三輥機(jī)正持續(xù)賦能電子漿料領(lǐng)域,并已全面覆蓋膠粘劑、油墨涂料、電子工業(yè)、新能源、納米新材料、醫(yī)藥、化妝品等領(lǐng)域。現(xiàn)已形成從實(shí)驗(yàn)室型到工業(yè)級(jí)(處理量可達(dá)450L/h)的全套解決方案,為先進(jìn)電子制造提供精密分散保障。 相關(guān)產(chǎn)品 更多![]()
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