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碳化硅超微粉碎實驗:從2mm到D50<1μm的精密跨越

碳化硅超微粉碎實驗:從2mm到D50<1μm的精密跨越
綿陽九方  2025-09-09  |  閱讀:87

一、實驗背景與目的

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,憑借其高硬度(莫氏硬度9.5)、高導(dǎo)熱性(490 W/m·K)、卓越的耐高溫性(熔點約2700℃)及強耐腐蝕性,在航空航天、新能源、半導(dǎo)體封裝等高科技領(lǐng)域具有不可替代的地位。

近日,綿陽九方智能裝備有限公司憑借自主研發(fā)氣流粉碎機,成功幫助客戶完成了一項突破性實驗<2mm的碳化硅原料精準粉碎至D500.9微米,以卓越的技術(shù)實力實現(xiàn)了從毫米級到亞微米的超微粉碎。

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二、實驗設(shè)備及優(yōu)點

本次實驗采用JFQ-100型氣流粉碎機,該設(shè)備集成了超音速多噴嘴加速系統(tǒng)與高精度渦輪分級器,專門針對高硬度、高純度材料的超微粉碎需求而設(shè)計。其核心優(yōu)勢在于

1.粒徑精準調(diào)控:采用智能變頻分級系統(tǒng),可實時動態(tài)調(diào)整分級輪轉(zhuǎn)速,確保成品D50穩(wěn)定1微米;

2.耐磨抗污染設(shè)計:粉碎腔特制內(nèi)襯,耐磨性提升300%,有效避免金屬污染;

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、實驗過程與數(shù)據(jù)

實驗中,原料經(jīng)預(yù)處理及精確給料控制,進入粉碎腔后在超音速氣流作用下發(fā)生高頻碰撞與摩擦。30分鐘連續(xù)運行,最終經(jīng)歐美克激光粒度分析儀檢測:成品D50=0.83微米、D90=1.58微米的超細粉體,且粒度分布曲線呈正態(tài)分布,完全符合客戶對半導(dǎo)體級碳化硅的嚴苛要求。

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四、結(jié)語

綿陽九方始終專注超細粉體粉碎及分級技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)于一體,誠邀各行業(yè)伙伴攜手合作,共同發(fā)展!免費試驗熱線:19183680777

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