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G-2900V品牌
金埃譜產(chǎn)地
武漢樣本
暫無誤差率:
±0.02%分辨率:
0.0001g/cc重現(xiàn)性:
0.01%儀器原理:
靜態(tài)容量法分散方式:
N測量時間:
5分鐘測量范圍:
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體積置換法,真密度測定,硬質(zhì)泡沫開孔率及閉孔率(孔隙率)測定
測量精度:測定精度±0.02%,重復(fù)性±0.01%,測試分辨率0.0001g/cc
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摘要:硬脂酸鎂是制藥界廣泛應(yīng)用的藥物輔料,因?yàn)榫哂辛己玫目拐承?、增流性和潤滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用,作為常用的藥用輔料潤滑劑,比表面積對硬脂酸鎂有很大的影響,硬脂酸鎂的比表面積越大,其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點(diǎn)、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、汽車工業(yè)、紡織、化工、航空航天等國民經(jīng)濟(jì)的各個領(lǐng)域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結(jié)構(gòu),是掃描電鏡重要的應(yīng)用領(lǐng)
2022-09-27
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華南理工大學(xué)自旋科技研究院是高松院士主導(dǎo)成立的交叉學(xué)科研究機(jī)構(gòu),研究院以磁性分子為主要對象,探索自旋相關(guān)的化學(xué)反應(yīng)和物理效應(yīng),突破單分子自旋操控和讀出技術(shù),發(fā)展自旋相關(guān)量子材料和器件,開發(fā)相關(guān)分子診療
國儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測的應(yīng)用報告一、背景介紹 在芯片制造工藝中,金屬柵極刻蝕是構(gòu)建晶體管關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié)。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性,對芯片的性能
國儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測的應(yīng)用報告一、背景介紹 隨著芯片集成度不斷攀升,芯片后道 Al 互連技術(shù)成為確保信號傳輸與芯片功能實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在芯片工作時,Al 互連導(dǎo)線
國儀量子電鏡在芯片鈍化層開裂失效分析的應(yīng)用報告一、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域,芯片鈍化層扮演著至關(guān)重要的角色。它作為芯片的 “防護(hù)鎧甲”,覆蓋在芯片表面,隔絕外界環(huán)境中的濕氣、雜質(zhì)以及機(jī)械應(yīng)力等不利