參考價(jià)格
面議型號(hào)
V-sorb 2800P品牌
金埃譜產(chǎn)地
中國樣本
暫無分散方式:
/測量時(shí)間:
/測量范圍:
/誤差率:
/分辨率:
/重現(xiàn)性:
/看了氮吸附比表面分析的用戶又看了
虛擬號(hào)將在 180 秒后失效
使用微信掃碼撥號(hào)
全自動(dòng)靜態(tài)容量法活性氧化鋁孔徑分布分析比表面積測試儀性能參數(shù)
測試方法及功能:氮吸附真空容量法(真空靜態(tài)法),吸附及脫附等溫線測定,BJH總孔體積及孔徑孔隙度測試,樣品真密度測定,t-plot圖法微孔分析,MP法微孔分析,HK法微孔分析,BET法比表面積測定(單點(diǎn)及多點(diǎn)),Langmuir法比表面積測定,平均粒徑估算,t-plot圖法外比表面積測定;
測定范圍:0.01(㎡/g)--至無上限(比表面積),0.35nm-500nm(孔徑);
測量精度:重復(fù)性誤差小于1.5%;
真空系統(tǒng):V-Sorb**的集裝式管路及電磁閥控制系統(tǒng),大大減小管路死體積空間,提高檢測吸附氣體微量變化的靈敏度,從而提高孔徑孔隙度測試的分辨率;同時(shí)集裝式管路減少了連接點(diǎn),大大提高密封性和儀器使用壽命;
液位控制:V-Sorb**的液氮面控制系統(tǒng),確保測試全程液氮面相對樣品管位置保持不變,徹底消除因死體積變化引入的測量誤差;
控制系統(tǒng):采用可編程控制器電磁閥控制系統(tǒng),高集成度和抗干擾能力,提高儀器穩(wěn)定性和使用壽命;
樣品數(shù)量:同時(shí)進(jìn)行2個(gè)樣品分析和2個(gè)樣品脫氣處理;
壓力測量:采用壓力分段測量的進(jìn)口雙壓力傳感器,顯著提高低 P/Po點(diǎn)下測試精度,0-1000Torr(0-133Kpa),0-10Torr(0-1.33Kpa);
壓力精度:進(jìn)口硅薄膜壓力傳感器,精度達(dá)實(shí)際讀數(shù)的0.15%,優(yōu)于全量程的0.15%,遠(yuǎn)高于皮拉尼電阻真空計(jì)精度(一般誤差為10%-15%);
分壓范圍:P/Po 準(zhǔn)確可控范圍達(dá)5x10-6-0.995;
極限真空:4x10-2Pa(3x10-4Torr);
樣品類型:粉末,顆粒,纖維及片狀材料等;
測試氣體:高純N2氣(99.999%)或其它(按需選擇如Ar,Kr);
數(shù)據(jù)采集:高精度及高集成度數(shù)據(jù)采集模塊,誤差小,抗干擾能力強(qiáng);
數(shù)據(jù)處理:Windows兼容數(shù)據(jù)處理軟件,功能完善,操作簡單,多種模式數(shù)據(jù)分析,圖形化數(shù)據(jù)分析結(jié)果報(bào)表.
北京金埃譜科技是北京市高新技術(shù)企業(yè),位于我國**的高校云集,中科院研究院所匯聚的北京高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)區(qū)-中關(guān)村.公司起源和服務(wù)于中國兵器系統(tǒng)行業(yè),依托當(dāng)?shù)厝瞬刨Y源和兵器系統(tǒng)技術(shù)優(yōu)勢,致力于科學(xué)分析儀器的研發(fā),生產(chǎn)及銷售.以創(chuàng)立兵器和民用行業(yè)國有知名品牌為發(fā)展宗旨,通過與兵器系統(tǒng)密切合作,同時(shí)借鑒國外先進(jìn)技術(shù),研發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的自動(dòng)化及智能化檢測儀器,為我國科研單位及生產(chǎn)企業(yè)提供與國際產(chǎn)品接軌,高可靠性,高性價(jià)比的一流科研設(shè)備.目前主要產(chǎn)品有V-Sorb X800 Series系列全自動(dòng)智能BET法比表面積測定微孔結(jié)構(gòu)分布總孔體積孔隙度分析儀;F-Sorb X400系列4站BET比表面積測試及BJH介孔徑分布孔容孔隙率測量儀;H-Sorb X600系列全自動(dòng)高溫高壓氣體吸附分析儀; G-DenPyc X900系列全自動(dòng)真密度測定分析儀.
暫無數(shù)據(jù)!
摘要:硬脂酸鎂是制藥界廣泛應(yīng)用的藥物輔料,因?yàn)榫哂辛己玫目拐承?、增流性和潤滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用,作為常用的藥用輔料潤滑劑,比表面積對硬脂酸鎂有很大的影響,硬脂酸鎂的比表面積越大,其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點(diǎn)、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、汽車工業(yè)、紡織、化工、航空航天等國民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結(jié)構(gòu),是掃描電鏡重要的應(yīng)用領(lǐng)
2022-09-27
6月11日,“鏡遇杭電,量啟關(guān)懷”——國儀電鏡售后服務(wù)團(tuán)隊(duì)精心打造的【鏡心鏡意】用戶關(guān)懷周活動(dòng)在杭州電子科技大學(xué)成功舉辦。本次活動(dòng)聚焦雙束電鏡技術(shù),通過密集的理論與實(shí)操訓(xùn)練,為該校師生開啟了一扇深度探
6月10日,由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微納研究與制造中心、國儀量子技術(shù)(合肥)股份有限公司、牛津儀器科技(上海)有限公司聯(lián)合舉辦的“中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)材料微觀分析論壇暨微納加工裝備聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭牌儀式”在中國科學(xué)
近日,國際頂尖學(xué)術(shù)期刊《科學(xué)》(Science)發(fā)表了同濟(jì)大學(xué)羅巍教授與華中科技大學(xué)黃云輝教授等合作者的題為“Fatigue of Li metal anode in solid-state batt
國儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹 在芯片制造工藝中,金屬柵極刻蝕是構(gòu)建晶體管關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié)。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性,對芯片的性能
國儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹 隨著芯片集成度不斷攀升,芯片后道 Al 互連技術(shù)成為確保信號(hào)傳輸與芯片功能實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在芯片工作時(shí),Al 互連導(dǎo)線
國儀量子電鏡在芯片鈍化層開裂失效分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域,芯片鈍化層扮演著至關(guān)重要的角色。它作為芯片的 “防護(hù)鎧甲”,覆蓋在芯片表面,隔絕外界環(huán)境中的濕氣、雜質(zhì)以及機(jī)械應(yīng)力等不利