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Post-CMP清洗設(shè)備
Post-CMP清洗設(shè)備

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型號

Post-CMP清洗設(shè)備

品牌

盛美半導(dǎo)體

產(chǎn)地

美國

樣本

暫無
盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司

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第2年

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主要優(yōu)勢

在CMP步驟之后,需要在低溫下使用稀釋的化學(xué)品進(jìn)行物理預(yù)清洗工藝,以減少顆粒數(shù)量。盛美上海的Post-CMP清洗設(shè)備能夠滿足這些要求,并提供多種配置,包括盛美上海自主研發(fā)的 Smart MegasonixTM先進(jìn)清洗技術(shù)。

 


特性和規(guī)格(Ultra C WPN(WIDO))

在線預(yù)清洗設(shè)備:
    可實現(xiàn)37納米以下少于15個剩余顆?;?8納米以下
    20-25個剩余顆粒
    金屬污染可控制在1E+8(原子/平方厘米)以內(nèi)
    當(dāng)配置4個腔體的時候,產(chǎn)能可達(dá)每小時35片晶圓

 

離線預(yù)清洗設(shè)備:
    可實現(xiàn)37納米以下少于15個剩余顆粒或28納米以下
    20-25個剩余顆粒
    占地面積小




特性和規(guī)格(Ultra C WPN(DIDO))

可配置四個裝載端口

占地面積小

可配置四或六個腔體,分別為兩個軟刷和兩個清洗腔體或兩個軟刷和四個清洗腔體

可實現(xiàn)37納米以下少于15個剩余顆?;?8納米以下20-25個剩余顆粒

**產(chǎn)能可達(dá)每小時60片晶圓


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產(chǎn)品質(zhì)量

10分

售后服務(wù)

10分

易用性

10分

性價比

10分
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