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面議型號
磷化銦單晶生長爐品牌
育豪微電子產(chǎn)地
山東樣本
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需求描述
單位名稱
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一、設備概述:
主要應用于 3-6 英寸磷化銦、磷化鎵III-V 族化合物半導體晶體材料單晶生長工藝,自動控制系統(tǒng)。
二、設備參數(shù)類型:
| 設備性能指標 | ||
| 1 | 操作方式 | 手動 | 
| 2 | 管路數(shù) | 1管 | 
| 3 | 加工晶圓尺寸 | 4-6寸 | 
| 4 | 適用工藝 | 單晶生長 | 
| 5 | 工藝溫度范圍 | 800-1250℃ | 
| 6 | 恒溫區(qū)長度 | 300-800mm | 
| 7 | 控溫精度 | ±0.2℃/>1280℃恒溫區(qū)內(nèi) | 
| 8 | 單點溫度穩(wěn)定性 | ±0.2℃ | 
| 9 | 溫度校準功能 | 具有預先寫入偏差值快速拉溫區(qū)功能 | 
| 10 | 進出料方式 | 手動 | 
| 11 | 控溫模式 | Spike控溫 | 
| 12 | 控溫點數(shù) | 4-6點 | 
| 13 | 真空機組: | 直連泵 | 
| 14 | 系統(tǒng)極限真空度: | <10Pa | 
| 25 | 抽速: | 抽至極限真空時間<10Min。 | 
| 16 | 高壓腔設計壓力 | 5MPa | 
| 17 | 工作壓力范圍: | 10 mTorr~500mTorr可調(diào) | 
| 18 | 控制系統(tǒng)結(jié)構(gòu) | 一體工控機+PLC | 
| 19 | 報警保護: | 具有超溫報警,超壓報警,斷偶報警,氣體互鎖,氣體緩啟動等功能 | 
暫無數(shù)據(jù)!
產(chǎn)品質(zhì)量
售后服務
易用性
性價比
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