密度(g/c㎡):
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工業(yè)級外觀:
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該研磨液配方及生產工藝具備研磨液在高強度機械摩擦中:
分散穩(wěn)定性高、效率高,產品加工后表面光滑、平整、且加工成本低
工藝簡單、利于工廠的批量生產
增強了各種復合組分的密切接觸與相互作用
充分發(fā)揮各組分協同增效功能
使粗磨液性能更優(yōu)良的優(yōu)點碳化硅研磨液分析。
該研磨液配方及生產工藝具備研磨液在高強度機械摩擦中:
分散穩(wěn)定性高、效率高,產品加工后表面光滑、平整、且加工成本低
工藝簡單、利于工廠的批量生產
增強了各種復合組分的密切接觸與相互作用
充分發(fā)揮各組分協同增效功能
使粗磨液性能更優(yōu)良的優(yōu)點碳化硅研磨液分析。
在碳化硅半導體的制備過程中,晶圓襯底制造作為占據總成本的40%,是至關重要的一項工藝。在半導體晶圓襯底制造過程中,切割磨拋工序是不可或缺的環(huán)節(jié)之一,它是將硅晶圓切割成較薄的片狀,然后進行研磨和拋光,以獲得所需的平整度和表面光潔度。
一種用于碳化硅晶片加工的粗磨液,其是由金剛石團聚磨料和丙三醇構成。
本發(fā)明的粗磨液配合有多邊形溝槽的塑膠墊使用
可以替代傳統(tǒng)的鑄鐵盤碳化硼粗磨工藝。
采用本發(fā)明低濃度的粗磨液即可達到比高濃度碳化硼粗磨液更好的使用效果
減少了后道工序的加工時間,同時產生的廢液非常少,對環(huán)境影響小。
本發(fā)明的粗磨液是一種消耗少、環(huán)境友好的新型研磨材料。
工藝 研磨液 流量
(ml/min)去除率
(um/min)轉速
(rpm)壓力
(KG)面壓
(g/㎝2)加工數量 時間 設備機型 鑄鐵盤+單晶W4 4um 200 1.16 14 310 105 15片 60min 16B
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