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1-5萬元型號(hào)
HPHE/TAPS-IE-2402品牌
惠和產(chǎn)地
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氧化硅拋光液(硅溶膠拋光液)是以高純度硅溶膠為原料,經(jīng)特殊工藝制備的高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品,廣泛用于半導(dǎo)體、光學(xué)、硬盤、金屬等材料的納米級(jí)高平坦化拋光,具有拋光速率高、表面粗糙度低、分散性好、環(huán)保安全等優(yōu)勢(shì)。
原料:以高純度硅粉或硅溶膠為基材,通過離子交換法、水解法或溶膠-凝膠法制備穩(wěn)定硅溶膠。
粒徑控制:可生產(chǎn)粒徑范圍10-150nm的產(chǎn)品,滿足不同拋光需求。例如,納米級(jí)硅溶膠(如10-30nm)用于精密拋光,減少表面損傷層深度;大粒徑(如150nm)用于高速拋光,提升效率。
配方優(yōu)化:添加乳化劑、懸浮劑、pH調(diào)節(jié)劑(如鹽酸、氨水)、防腐劑、消泡劑等助劑,提升拋光液穩(wěn)定性、分散性和適用性。例如,通過真空負(fù)壓混合工藝確保各組分均勻分散。
高拋光速率:
去除率可達(dá)0.9-1.2μm/min,顯著縮短工時(shí)。例如,在半導(dǎo)體CMP拋光中,硅溶膠拋光液可快速去除材料,同時(shí)保持表面平整。
納米級(jí)粒子(如60-80nm)通過機(jī)械摩擦與化學(xué)腐蝕協(xié)同作用,實(shí)現(xiàn)高效拋光。
高平坦度與低損傷:
拋光后表面粗糙度可降至0.2μm以下,滿足高精度需求。例如,藍(lán)寶石襯底拋光后總厚偏差(TTV)極小,適用于LED芯片制造。
硅溶膠粒子硬度接近硅片,減少物理損傷,劃傷和挖傷率趨近于零。
分散性與穩(wěn)定性:
粒子呈球形、單分散,粒徑分布窄,避免團(tuán)聚現(xiàn)象。例如,在光學(xué)玻璃拋光中,均勻分散的粒子可防止局部過拋或欠拋。
通過特殊工藝(如鈍化處理)提升粒子穩(wěn)定性,延長(zhǎng)拋光液使用壽命。
環(huán)保與安全性:
低金屬離子含量(如Na?O≤0.3%,重金屬雜質(zhì)≤50ppb),減少對(duì)設(shè)備的腐蝕和產(chǎn)品污染。
水性配方易清洗,符合環(huán)保要求。車間需保持通風(fēng),操作人員需佩戴防護(hù)裝備。
半導(dǎo)體行業(yè):
硅晶圓拋光:作為CMP拋光液的核心成分,實(shí)現(xiàn)全局平坦化,滿足先進(jìn)制程(如7nm、5nm)需求。
化合物半導(dǎo)體:用于砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等材料的拋光,提升器件性能。
光學(xué)與顯示領(lǐng)域:
光學(xué)玻璃:拋光后表面粗糙度低,透光率高,適用于鏡頭、濾光片等制造。
藍(lán)寶石襯底:高平坦化拋光滿足LED芯片對(duì)襯底質(zhì)量的要求。
存儲(chǔ)介質(zhì):
硬盤基片:硅溶膠粒子均勻分散,提升拋光效率,降低缺陷率。
金屬與陶瓷材料:
不銹鋼、鋁鎂合金:拋光后表面光潔度高,耐腐蝕性強(qiáng)。
陶瓷:用于精密陶瓷零件的終拋,提升尺寸精度和表面質(zhì)量。
技術(shù)優(yōu)勢(shì):
相比氧化鋁、氧化鈰拋光液,硅溶膠拋光液具有更低的硬度和更高的分散性,適合拋光硬度接近或低于自身的材料(如硅片)。
通過配方調(diào)整(如pH值、粒徑)可適配不同材料,靈活性高。
市場(chǎng)趨勢(shì):
隨著半導(dǎo)體、光學(xué)等行業(yè)向高精度、高可靠性發(fā)展,硅溶膠拋光液需求持續(xù)增長(zhǎng)。
環(huán)保法規(guī)推動(dòng)水性、低污染拋光液的研發(fā),硅溶膠拋光液符合這一趨勢(shì)。
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2025-09-19