中國粉體網(wǎng)訊 硅負極的能量密度和快充性能遠好于石墨,但是硅負極的膨脹系數(shù)大(~300%),且循環(huán)壽命低。為了解決硅負極導電性差、膨脹系數(shù)高、循環(huán)性能差等問題,業(yè)內(nèi)發(fā)展了碳包覆技術。以美國Group14 Technologie[更多]
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