中國(guó)粉體網(wǎng)訊 據(jù)晶越半導(dǎo)體官微宣布,公司繼2025年上半年成功量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底后,公司持續(xù)投入并不斷加大研發(fā)力度,并在熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不斷調(diào)整和優(yōu)化工藝,在7月21日研制出高品質(zhì)12英寸SiC[更多]
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