推薦西電郝躍院士團隊實現(xiàn)硅與氮化鎵晶圓級單片異質(zhì)集成

中國粉體網(wǎng)訊 2020年7月，西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院關(guān)于硅與氮化鎵異質(zhì)集成芯片論文在國際半導(dǎo)體器件權(quán)威期刊IEEE Transactions on Electron Devices上發(fā)表，郝躍院士團隊的張家祺博士和張葦杭[更多]