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美國SiOnyx獲哈佛大學(xué)黑硅專利的獨家使用權(quán)


來源:硅業(yè)在線

標(biāo)簽美國黑硅專利
美國哈佛大學(xué)技術(shù)開發(fā)局(OTD)和美國SiOnyx于近日宣布,哈佛大學(xué)將向SiOnyx提供名為“黑硅(Si)”的特殊硅材料的專利授權(quán)。SiOnyx將獲得哈佛大學(xué)黑硅相關(guān)專利的獨占使用權(quán),爭取實現(xiàn)商用化。

    據(jù)了解,黑色硅材質(zhì)是電子產(chǎn)業(yè)革命性的新材料,根據(jù)材料顯示,黑硅的光敏感度是傳統(tǒng)硅材質(zhì)的100至500倍,同時比傳統(tǒng)材質(zhì)更輕。哈佛大學(xué)的物理學(xué)家Eric Mazur表示,創(chuàng)造這種特殊的硅材質(zhì),需要通過強大的激光束照射硅晶片,所需要的激光功率約相當(dāng)于太陽在一瞬間照射地球表面的所有光的強度。

    黑硅的研究始于90年代末,Eric Mazur教授研究小組的某個研究提案,不過該提案獲得了美國軍隊的資助。據(jù)Mazur博士透露,“我的軍隊贊助資金即將耗盡”“我只是根據(jù)之前的研究提案寫了一個研究方向”。

    不過黑硅被發(fā)現(xiàn)在電子顯微鏡下具有如森林狀的小波峰。研究人員發(fā)現(xiàn),這種材質(zhì)的光感性比傳統(tǒng)硅材質(zhì)強100倍至500倍。今后,這種材質(zhì)將可以用在太陽能電池和光傳感器,數(shù)碼相機和數(shù)碼拍攝設(shè)備上,同時,夜視系統(tǒng)中也可以使用這種材質(zhì)。

    另外,這種黑硅也可檢測出不與普通硅發(fā)生反應(yīng)的紅外線。另外黑硅的制造工藝可嵌入到目前半導(dǎo)體制造工藝中,不需要使用新材料。

    SiOnyx是旨在將哈弗大學(xué)的研究成果應(yīng)用于商業(yè)目的而成立的企業(yè)。已從風(fēng)險投資公司等籌集了1100萬美元的資金。
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