中國(guó)粉體網(wǎng)訊  2025年8月21日，由中國(guó)粉體網(wǎng)主辦的“第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)”在蘇州·白金漢爵大酒店隆重召開(kāi)！本屆會(huì)議匯聚碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)的專(zhuān)家學(xué)者、技術(shù)人員、企業(yè)界代表共計(jì)300余人，圍繞著碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)發(fā)展、晶體加工技術(shù)進(jìn)展及設(shè)備應(yīng)用、碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)等方面進(jìn)行了深入探討交流，共同展望了行業(yè)未來(lái)發(fā)展。

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會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)

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中國(guó)粉體網(wǎng)會(huì)展事業(yè)部總經(jīng)理孔德宇先生主持開(kāi)幕式

會(huì)議精彩報(bào)告環(huán)節(jié)

陳雪江副教授介紹了碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)研究現(xiàn)狀，基于SiC晶體外延生長(zhǎng)中微觀原子的動(dòng)力學(xué)過(guò)程，陳教授利用蒙特卡羅（KMC）模型研究了3C-SiC臺(tái)階生長(zhǎng)的過(guò)程，并對(duì)臺(tái)階流動(dòng)生長(zhǎng)穩(wěn)定性機(jī)制研究進(jìn)行了介紹，對(duì)影響臺(tái)階生長(zhǎng)模式的因素作了分析。

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西安交通大學(xué)能源與動(dòng)力工程學(xué)院副教授陳雪江作《3C-SiC晶體臺(tái)階生長(zhǎng)微觀機(jī)理研究》報(bào)告

史冬梅研究員介紹了近年來(lái)美國(guó)、歐盟、日本、韓國(guó)等發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū)在半導(dǎo)體特別是第三代半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展戰(zhàn)略、科技計(jì)劃項(xiàng)目部署及國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)建設(shè)等相關(guān)政策。梳理了主要國(guó)家和地區(qū)碳化硅半導(dǎo)體材料、外延及器件的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展情況，并對(duì)碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展態(tài)勢(shì)作了展望。

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國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)高技術(shù)研究發(fā)展中心研究員、原技術(shù)總師史冬梅作《碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及態(tài)勢(shì)》報(bào)告

周駿峰經(jīng)理聚焦當(dāng)下中國(guó)新能源汽車(chē)的市場(chǎng)背景，從材料價(jià)格、封裝技術(shù)到產(chǎn)品應(yīng)用等方面分析了碳化硅功率器件的市場(chǎng)應(yīng)用進(jìn)展，并展示芯塔電子在該領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)踐。

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安徽芯塔電子科技有限公司高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理周駿峰作《車(chē)用SiC功率器件市場(chǎng)分析與展望》報(bào)告

劉曉星經(jīng)理從碳化硅襯底分類(lèi)、碳化硅單晶生長(zhǎng)工藝、襯底晶片加工工藝及襯底尺寸發(fā)展等方面介紹了碳化硅單晶襯底的發(fā)展現(xiàn)狀，隨后分別對(duì)導(dǎo)電N型襯底和高純半絕緣襯底的市場(chǎng)應(yīng)用現(xiàn)狀作了分析。

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山西爍科晶體有限公司市場(chǎng)經(jīng)理劉曉星作《碳化硅單晶襯底材料的發(fā)展及展望》報(bào)告

俞寶清總經(jīng)理從晶圓襯底生產(chǎn)工藝的角度出發(fā)，介紹了倒角工藝在晶圓襯底制備中的作用，并對(duì)晶圓輪廓所具備的特性作了分析，講述了晶圓邊緣輪廓的檢測(cè)方法和手段，最后展示了蘭辰光電在該領(lǐng)域的技術(shù)突破及公司產(chǎn)品市場(chǎng)應(yīng)用情況。

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寧波蘭辰光電有限公司總經(jīng)理兼技術(shù)總監(jiān)俞寶清作《晶圓邊緣輪廓與缺陷檢測(cè)技術(shù)及裝備》報(bào)告

大尺寸半導(dǎo)體單晶具有超硬/超脆的特點(diǎn)，切磨拋加工困難，損耗大，成本高，如何提高質(zhì)量、產(chǎn)片率是行業(yè)發(fā)展重點(diǎn)。修向前教授在報(bào)告中介紹了幾種常用的碳化硅切片加工技術(shù)和新型切割技術(shù)，并將線切割和激光切割技術(shù)進(jìn)行了對(duì)比，詳細(xì)闡述了激光切割技術(shù)在碳化硅單晶切割中的應(yīng)用現(xiàn)狀以及技術(shù)進(jìn)展，最后介紹了目前其團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體單晶（單晶/多晶金剛石、氮化鎵、氧化鎵）激光切割技術(shù)的研究進(jìn)展。

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南京大學(xué)修向前教授作《大尺寸半導(dǎo)體單晶激光切片技術(shù)研究》報(bào)告

超低阻碳化硅鍵合集成技術(shù)是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要?jiǎng)?chuàng)新。劉福超副總經(jīng)理介紹了超低阻碳化硅鍵合技術(shù)的基礎(chǔ)原理和特點(diǎn)，并舉例詳細(xì)說(shuō)明了超低阻碳化硅鍵合材料應(yīng)用的5大優(yōu)勢(shì)。隨后闡述了碳化硅鍵合材料在散熱、光學(xué)等領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展，最后介紹了青禾半導(dǎo)體在該領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展情況。

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青禾晶元半導(dǎo)體科技(集團(tuán))有限責(zé)任公司聯(lián)合創(chuàng)始人&副總經(jīng)理劉福超作《超低阻碳化硅鍵合集成技術(shù)應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)化》報(bào)告

王巍介紹了碳化硅功率器件和碳化硅襯底的市場(chǎng)進(jìn)展情況，指出碳化硅市場(chǎng)所面臨的內(nèi)卷、降本、產(chǎn)品升級(jí)和地緣關(guān)系等四大痛點(diǎn)，介紹了近年全球碳化硅行業(yè)的局勢(shì)變化，分析了國(guó)內(nèi)外碳化硅襯底、器件的產(chǎn)能、價(jià)格變動(dòng)等概況。隨后羅列了全球碳化硅襯底廠商12英寸技術(shù)進(jìn)展，分享了碳化硅未來(lái)的新興應(yīng)用領(lǐng)域，特別是AR眼鏡，最后對(duì)碳化硅產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展作了展望。

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 河北同光半導(dǎo)體股份有限公司銷(xiāo)售副總王巍作《挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存--碳化硅材料市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀及展望》報(bào)告

全自動(dòng)碳化硅晶片腐蝕爐在碳化硅晶體缺陷檢測(cè)行業(yè)具有重要作用。趙聰經(jīng)理簡(jiǎn)單介紹了碳化硅材料發(fā)展概況，分享了碳化硅晶片腐蝕的原理、應(yīng)用及缺陷檢測(cè)方法。最后展示了晶馳機(jī)電研發(fā)的“全自動(dòng)碳化硅腐蝕爐”的實(shí)踐案例及產(chǎn)品亮點(diǎn)。

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杭州晶馳機(jī)電有限公司研發(fā)經(jīng)理趙聰作《全自動(dòng)碳化硅晶片腐蝕爐在碳化硅晶體缺陷檢測(cè)行業(yè)的應(yīng)用》報(bào)告

蔣志強(qiáng)總監(jiān)揭示了碳化硅行業(yè)所面臨的痛點(diǎn)，闡述了溶液法生長(zhǎng)碳化硅單晶技術(shù)的發(fā)展態(tài)勢(shì)及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展。隨后介紹了臻晶半導(dǎo)體在溶液法生長(zhǎng)碳化硅單晶產(chǎn)業(yè)進(jìn)展概況及設(shè)備研發(fā)進(jìn)展。最后分析了溶液法生長(zhǎng)碳化硅單晶產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵問(wèn)題，并提出解決對(duì)策。

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常州臻晶半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理陸敏（蔣志強(qiáng)代）作《液相法碳化硅晶體生長(zhǎng)態(tài)勢(shì)及產(chǎn)業(yè)化》報(bào)告

張澤芳總經(jīng)理詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體襯底加工工藝發(fā)展概況，分享了碳化硅的CMP機(jī)制，針對(duì)碳化硅襯底加工特點(diǎn)，介紹了博來(lái)納潤(rùn)碳化硅襯底CMP加工工藝及相關(guān)產(chǎn)品。

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 浙江博來(lái)納潤(rùn)電子材料有限公司總經(jīng)理張澤芳博士作《碳化硅CMP材料的整體解決方案》報(bào)告

陳飛簡(jiǎn)單介紹了碳化硅行業(yè)概況，分析了碳化硅加工場(chǎng)景中遇到的問(wèn)題，指出碳化硅加工過(guò)程出現(xiàn)問(wèn)題中很大部分出現(xiàn)在冷卻液環(huán)節(jié)，并分享了采用宇佳智能整套過(guò)濾方案來(lái)解決冷卻液穩(wěn)定性問(wèn)題，并展示了公司的整體過(guò)濾方案的過(guò)濾效果及客戶(hù)使用案例。

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江蘇宇佳智能裝備有限公司執(zhí)行董事陳飛作《提高SiC晶體研磨效率和表面質(zhì)量》報(bào)告

展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)精彩一瞬

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展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)

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參會(huì)人員面對(duì)面交流

（16英寸碳化硅襯底，日本廠商提供）

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參展部分產(chǎn)品

小結(jié)

本屆會(huì)議充分體現(xiàn)了業(yè)界對(duì)SiC半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)發(fā)展的高度關(guān)注和迫切需求。未來(lái)，隨著產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新的深化，期待業(yè)界同仁攜手共進(jìn)，攻克技術(shù)難關(guān)，優(yōu)化制造工藝，降低成本，共同推動(dòng)中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁上新臺(tái)階，為全球綠色能源轉(zhuǎn)型和信息技術(shù)發(fā)展做出更大貢獻(xiàn)。

（中國(guó)粉體網(wǎng)蘇州報(bào)道/空青）