中國粉體網訊  碳化硅晶體作為第三代半導體材料的代表，在電子電力器件、高亮度發(fā)光二級管等節(jié)能環(huán)保領域有著廣泛的應用前景。然而碳化硅晶體制備存在成本高、能效低等問題，限制了碳化硅晶體在民用領域的大規(guī)模應用。

相關研究工作

多頭物理氣相輸運技術碳化硅晶體制備過程

圖片來源：中科院硅酸鹽所

中國科學院上海硅酸鹽研究所碳化硅晶體項目部借鑒上海硅酸鹽所發(fā)明的多坩堝下降晶體制備技術，在對氣相輸運與沉積基本科學技術原理深入認識的基礎上，發(fā)明了多頭物理氣相輸運技術，成功實現(xiàn)單爐次制備多個碳化硅晶體，所得晶體的一致性、重復性和穩(wěn)定性有明顯提升。采用多頭物理氣相輸運技術使晶體制備效率提高至傳統(tǒng)制備技術的300%以上，制備成本則降低至原來的40%以下，有望實現(xiàn)低成本、高效率碳化硅晶體制備，有效推動其在民用領域的大規(guī)模應用。

（中國粉體網編輯整理/初末）
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