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同濟大學(xué)利用化學(xué)氣相沉積法成功制備疏水性一維納米氧化硅


來源:高分子科學(xué)前沿

[導(dǎo)讀]  制備納米氧化硅常用的方法有溶膠-凝膠法、水熱法、高溫化學(xué)氣相沉積法等。但是這些方法需要嚴(yán)格的反應(yīng)條件,或在制備過程中涉及到高溫、高壓過程,因此具有一定的局限性。同濟大學(xué)物理科學(xué)與工程學(xué)院納米材料課題組近年來在低溫(200℃以下)、常壓條件下,通過化學(xué)氣相沉積法制備納米氧化硅方向取得了一些新的進展。

中國粉體網(wǎng)訊  納米氧化硅是一種浸潤性可調(diào)的、具有可控微觀結(jié)構(gòu)(球狀、空心球狀、棒狀、線狀、珍珠項鏈狀……)的多功能材料。與其它材料相比,氧化硅具有一個獨特的性質(zhì):通過在其表面嫁接不同的官能團,可調(diào)節(jié)其表面能和浸潤性(親/疏水性)。由于納米氧化硅具有可調(diào)的浸潤性、無毒性、高的孔隙率和高比表面積等特點,已被廣泛研究并用于表面修飾、藥物遞送、細胞呈像探針、載藥等領(lǐng)域。


      制備納米氧化硅常用的方法有溶膠-凝膠法、水熱法、高溫化學(xué)氣相沉積法等。但是這些方法需要嚴(yán)格的反應(yīng)條件,或在制備過程中涉及到高溫、高壓過程,因此具有一定的局限性。同濟大學(xué)物理科學(xué)與工程學(xué)院納米材料課題組近年來在低溫(200℃以下)、常壓條件下,通過化學(xué)氣相沉積法制備納米氧化硅方向取得了一些新的進展。


以正硅酸四乙酯(TEOS)為硅源,在碳氣凝膠骨架表面生長了幾到幾十納米厚度的氧化硅,合成了碳-二氧化硅核殼結(jié)構(gòu)氣凝膠;該氣凝膠在幾乎沒有損失碳氣凝膠原有的吸收率的前提下實現(xiàn)了電導(dǎo)率數(shù)量級的降低。采用化學(xué)氣相沉積法結(jié)合高溫煅燒工藝,獲得了一種新型的納米管狀二氧化硅氣凝膠;該氣凝膠展現(xiàn)出了優(yōu)異的綜合性能。


一維納米氧化硅的生成機理可以歸結(jié)于V-L-S(Vapor-Liquid-Solid)理論。MTMS蒸汽在氨氣氛下發(fā)生水解-縮聚反應(yīng),形成前驅(qū)體納米液滴;納米液滴通過分子熱運動移動到基底上,形成氧化硅錨點;后續(xù)的前驅(qū)體液滴在錨點上生長,逐漸形成氧化硅納米棒/線。


該論文的第一作者是博士生汪宏強,通訊作者為杜艾副教授,課題組張晨、周斌、張志華和沈軍等師生也參與了該工作。該工作受到國家重點研發(fā)計劃“納米技術(shù)”重點專項、國家自然科學(xué)基金、上海市特殊人工微結(jié)構(gòu)材料與技術(shù)重點實驗室開放課題的支持。


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/漫道)

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