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【前言】

“你有你的銅枝鐵干，像刀，像劍，也像戟；

我有我紅碩的花朵，像沉重的嘆息，又像英勇的火炬。

我們分擔寒潮、風雷、霹靂；

我們共享霧靄、流嵐、虹霓。

仿佛永遠分離，卻又終身相依。”

舒婷的這首《致橡樹》用來形容攜手奮進，為半導體科研事業(yè)付出了一輩子心血的中國科學院院士王圩、吳德馨這對院士伉儷再適合不過了。從參加工作到今天，歷經(jīng)近60年風雨，他們始終把為祖國半導體事業(yè)的發(fā)展奉獻力量作為奮斗的目標。

2015年金婚紀念日留影

王圩院士

王圩，男，1937年12月25日出生于河北省，畢業(yè)于北京大學物理系半導體專業(yè)。

￭1960年，畢業(yè)于北京大學物理系半導體專業(yè)。

￭1960年，到中國科學院半導體研究所工作至今，現(xiàn)任中科院半導體研究所研究員。

￭1987年赴日本東京工業(yè)大學訪問研究一年。

￭1997年，當選中國科學院院士。

￭2001年—2005年，負責在研的項目是：國家“973”項目:“新型量子阱功能材料和器件”。

￭2002年—2004年，國家自然基金重大項目:“光網(wǎng)絡(luò)用光放大器、電吸收調(diào)制器和模斑轉(zhuǎn)換器串接集成材料與器件的研究”。

吳德馨院士

吳德馨，女，半導體器件和集成電路專家，1936年12月20日生于河北樂亭，中國科學院微電子中心研究員。

￭1936年12月20日，生于河北樂亭。

￭1961年畢業(yè)于清華大學無線電電子工程系。

￭1991年當選為中國科學院院士（學部委員）。

￭1992年被國家科委聘為“深亞微米結(jié)構(gòu)器件和介觀物理”項目首席科學家。 

吳德馨院士從事砷化鎵微波集成電路和光電模塊的研究，曾獲國家和中科院一等獎3項。

相遇——經(jīng)常交流慢慢就有了好印象

1956年國家開始編制《十二年科學技術(shù)發(fā)展規(guī)劃》（《1956~1967年科技發(fā)展規(guī)劃》），這是新中國第一個長期科技發(fā)展規(guī)劃，提出對當時國家新技術(shù)發(fā)展的“四項緊急措施”——計算機、電子學、半導體、自動化，要求相關(guān)部門集中全國科技力量，進行人員培養(yǎng)和科技攻關(guān)。由此，中科院物理研究所半導體研究室成立，1960年，在研究室為基礎(chǔ)，擴大為中科院半導體研究所。上世紀60年代初，同為半導體專業(yè)的王圩（1960年畢業(yè)）、吳德馨（1961年畢業(yè)）先后畢業(yè)分配到中科院半導體研究所。據(jù)兩位院士在一次采訪中透露。

王圩：相識是很自然的過程。我們畢業(yè)之后都被分配到了半導體研究所。她在器件室，做硅的器件，晶體管之類。我在林蘭英先生領(lǐng)導下的材料室，最初來到所里是做硅單晶。他們需要硅單晶作為基片來做晶體管。她就總要到我們組里來要材料，這樣就認識了。

吳德馨：是，材料有了問題還得找他們研究改進，經(jīng)常交流慢慢就有了好的印象。

1967年  年輕時期的他們

相互扶持與理解

王圩：生活上沒得說，就是相互扶持。那時候搞研究也是加班加點，老人又年紀大了，家庭負擔比較重，孩子不到一歲就送了全托。

研究上，我做光電子，她做微電子，有很多地方可以互相交流。比如她現(xiàn)在做的垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL），有些就跟我們原來做的通信光電子器件差不多。所以我們會經(jīng)常交流，我會給她提很多意見，在研究上互通有無。在家里也經(jīng)常聊，有共同語言，能說一塊去。

吳德馨：就是互相支持吧。我忙了，他就負責家里的事，他忙了，就是我負責家里的事，互相理解。我當年做存儲器的時候，有時候就睡在實驗室地板上，不回家，孩子都是他管。

那一年他在日本做訪問學者，我在109廠做引進的進口設(shè)備驗收工作，自己帶著兩個孩子。每天早上來，晚上九點多才能回家，兩個孩子只能在外面小攤上買點吃的。我回不了家，也沒有電話沒法通知孩子，也沒汽車，要倒3次公交車才能到家，孩子就在大門口臺階上等。所以做完了4K，驗收完了真是全家歡呼。

兩位院士的研究工作

據(jù)吳德馨院士講述，最開始她在王守覺先生領(lǐng)導下負責做硅平面型高速開關(guān)晶體管，做出來之后開關(guān)速度、閾值電壓等指標跟國際同類產(chǎn)品水平差不多，后來推廣到了109廠（我國第一個半導體器件生產(chǎn)廠），又推廣到全國。后來這個器件用到了“兩彈一星”用的計算機——109乙機上。

￭1975年，半導體所開始做大規(guī)模集成電路，他們做出4K位的動態(tài)存儲器，后來相繼做出來16K位、64K位的動態(tài)隨機存儲器。

￭1980年代末期，自主開發(fā)成功了3微米的CMOSLSI全套工藝技術(shù)，用于專用電路的制造。從3微米，到2微米、1微米，再到0.8微米……這么一直做下來。

￭1990年代，獨立自主開發(fā)出了全套的0.8微米CMOS工藝，并應用于實用電路的開發(fā)。

此外，他們還研究開發(fā)以砷化鎵為基底的化合物半導體器件、電路。

經(jīng)過不斷努力，他們還做出了0.1微米砷化鎵/鋁鎵砷異質(zhì)結(jié)高遷移率場效應晶體管，截止頻率達89GHZ；研究成功了砷化鎵/銦鎵磷異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管（HBT），截止頻率達92GHZ；還在國內(nèi)首先研制成功了全功能砷化鎵/銦鎵磷HBT 10Gpbs光纖通信光發(fā)射驅(qū)動電路等等。與此同時，他們利用MEMS結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了激光器和光纖的無源耦合，成功做出了工作速度達2.5Gpbs的光發(fā)射模塊；垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）。

王圩院士說：“我最初做硅材料，研究硅單晶，后來根據(jù)國家需要開始做Ⅲ-Ⅴ族化合物，做外延研究，就是研究在一個襯底上做幾個微米的Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜，后來又在這個基礎(chǔ)上做擴散p/n結(jié)化合物激光器。我一開始是在材料室，只做材料，但做的過程中發(fā)現(xiàn)激光器的結(jié)構(gòu)和材料的生長是分不開的，在材料生長的過程中就把一部分器件結(jié)構(gòu)長出來了，所以既要懂材料，又要懂器件設(shè)計，兩者密不可分，還是放在一起比較好，于是我就調(diào)到器件室了，又做材料又做器件。”

￭1979年底，及時地開展了InP基長波長激光器的研究工作，成立了由彭懷德負責的1.3微米激光器研究組和由我負責的1.55微米激光器研究組。

￭1981年，率先在國內(nèi)得到了室內(nèi)連續(xù)工作的1.55微米激光器。

￭開發(fā)出一種在高頻調(diào)制下仍然可以單模工作的動態(tài)單模（DSM）激光器作為光信號源。

￭1988年底，研制出了國內(nèi)首批1.55微米動態(tài)單頻分布反饋（DFB）激光器，解決了國內(nèi)發(fā)展第三代長途干線大容量光纖通信的急需。

資料來源：

￭為了中國的半導體事業(yè)——訪中國科學院院士吳德馨、王圩

￭百度百科