中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近日，高性能SiC（碳化硅）模塊廠家利普思半導(dǎo)體已完成近億元人民幣A輪融資，由德聯(lián)資本領(lǐng)投，沃衍資本、飛圖創(chuàng)投跟投。該輪資金將主要用于公司無錫與日本研發(fā)設(shè)備投入，以及研發(fā)投入、管理運(yùn)營(yíng)和市場(chǎng)推廣。
利普思成立于2019年，專注高性能SiC與IGBT功率模塊的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，擁有創(chuàng)新的封裝材料和封裝技術(shù)，為新能源汽車、氫能車、光伏等行業(yè)應(yīng)用的控制器提供小型化、輕量化和高效化的功率模塊解決方案。目前，公司已經(jīng)申請(qǐng)專利26項(xiàng)，其中發(fā)明專利13項(xiàng)。
功率半導(dǎo)體作為電能轉(zhuǎn)換的核心器件，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、工業(yè)控制、光伏和風(fēng)電等領(lǐng)域，市場(chǎng)空間巨大。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS數(shù)據(jù)，今年我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)159億美元（約1015億人民幣），到2024年，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將超過500億美元（約3193億人民幣）。
盡管我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占據(jù)了全球超1/3的規(guī)模，但面向高端領(lǐng)域的功率器件國(guó)產(chǎn)率極低，高端國(guó)產(chǎn)功率模塊的可靠性不足也導(dǎo)致市占率較低，90%以上的中高端MOSFET及IGBT，SiC器件仍然依賴進(jìn)口。
其難點(diǎn)在于，一是高端功率器件主要應(yīng)用在新能源汽車、風(fēng)力發(fā)電、光伏等領(lǐng)域，這些領(lǐng)域?qū)β誓＝M的電氣設(shè)計(jì)、散熱、機(jī)械，可靠性，工藝等方面都有著高要求，國(guó)外如英飛凌、三菱等國(guó)際大廠早已積累了成熟技術(shù)和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，但國(guó)內(nèi)的IGBT與SiC模組設(shè)計(jì)與制造工藝相對(duì)落后，處于仍追趕階段。
二是芯片設(shè)計(jì)方面，小功率芯片通常采用單管電流設(shè)計(jì)，而大功率芯片需要集成到模組中，通過更多芯片并聯(lián)達(dá)到大功率電流的效果，尤其是汽車應(yīng)用中，國(guó)內(nèi)相關(guān)模組企業(yè)同樣與國(guó)際水平存在差距。
目前，利普思的核心產(chǎn)品覆蓋SiC和IGBT兩個(gè)品類，其中應(yīng)用于氫能商用車和光伏的SiC，以及應(yīng)用在充電樁、工業(yè)變頻器、商用車等方面的IGBT已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。值得注意的是，盡管SiC作為第三代功率半導(dǎo)體，在性能效率、可靠性和小型輕量化方面具備優(yōu)勢(shì)，但SiC對(duì)IGBT的替代主要集中在高端應(yīng)用市場(chǎng)，在低端市場(chǎng)則是兩者共存的格局。
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山川）
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