中國粉體網(wǎng)訊 12月23日，國內(nèi)少數(shù)以ALD技術(shù)為核心的薄膜沉積設(shè)備生產(chǎn)商———江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司（以下簡稱“微導(dǎo)納米”）正式登陸科創(chuàng)板，開啟公司高質(zhì)量發(fā)展新篇章。公司表示，未來將繼續(xù)以薄膜沉積技術(shù)為重要抓手，不斷豐富產(chǎn)品矩陣，力爭成為世界級的微納技術(shù)解決方案裝備制造商。
薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學(xué)、電學(xué)等方面的特殊性能。薄膜沉積設(shè)備的設(shè)計(jì)制造涉及化學(xué)、物理、工程等多門學(xué)科的跨界綜合運(yùn)用，按工藝原理的不同可分為物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）設(shè)備，按設(shè)備形態(tài)的不同可分為批量式（管式）和空間型（板式）兩種技術(shù)路線。微導(dǎo)納米目前產(chǎn)品主要以批量式（管式）ALD設(shè)備為主。
ALD技術(shù)是一種特殊的真空薄膜沉積方法，具有較高的技術(shù)壁壘。通過ALD鍍膜設(shè)備可以將物質(zhì)以單原子層的形式一層一層沉積在基底表面，每鍍膜一次/層為一個(gè)原子層，根據(jù)原子特性，鍍膜10次/層約為1nm。由于ALD技術(shù)表面化學(xué)反應(yīng)具有自限性，因此擁有多項(xiàng)獨(dú)特的薄膜沉積特性：（1）三維共形性，廣泛適用于不同形狀的基底；（2）大面積成膜的均勻性，且致密、無針孔；（3）可實(shí)現(xiàn)亞納米級的薄膜厚度控制。
基于上述特性，ALD技術(shù)廣泛適用于不同場景下的薄膜沉積，在光伏、半導(dǎo)體、柔性電子等新型顯示、MEMS、催化及光學(xué)器件等諸多高精尖領(lǐng)域均擁有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。
在光伏領(lǐng)域，微導(dǎo)納米ALD量產(chǎn)設(shè)備鍍膜速率已經(jīng)突破10,000片/小時(shí)。鍍膜效果以沉積Al2O3薄膜進(jìn)行測量，其薄膜厚度均勻度達(dá)到片內(nèi)不均勻性≤3%、片與片之間不均勻性≤3%、批與批之間不均勻性≤3%。公司產(chǎn)品具備優(yōu)良的產(chǎn)能提升能力與產(chǎn)品性能，在保障光電轉(zhuǎn)換效率的同時(shí)，有效幫助下游電池片廠商大幅降低了設(shè)備投資額與生產(chǎn)消耗成本。太陽能電池片技術(shù)路線目前正由PERC工藝向新型高效電池（TOPCon、HJT等）發(fā)展，公司在行業(yè)中已率先取得無錫尚德、通威太陽能、晶科能源、商洛比亞迪等公司TOPCon產(chǎn)線設(shè)備訂單。
在半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司是國內(nèi)首家成功將量產(chǎn)型High-k原子層沉積設(shè)備應(yīng)用于28nm節(jié)點(diǎn)集成電路制造前道生產(chǎn)線的國產(chǎn)設(shè)備公司。設(shè)備總體表現(xiàn)和工藝關(guān)鍵性能參數(shù)達(dá)到國際同類水平，并已獲得客戶重復(fù)訂單認(rèn)可，成功解決了一項(xiàng)半導(dǎo)體設(shè)備“卡脖子”難題。除此之外，公司已經(jīng)開展在半導(dǎo)體其他細(xì)分領(lǐng)域以及柔性電子領(lǐng)域中的應(yīng)用。
資料來源：微導(dǎo)納米招股說明書
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/平安）
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